电源技术中的Vishay功率MOSFET在1.2V栅源电压时导通电阻值额定

Vishay(威世)日前宣布推出业界首批在1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值的功率MOSFET，这一进步将帮助设计人员简化电源管理电路，同时延长便携式电子系统中的电池运行时间。       额定电压为1.2V的这些新型Vishay Siliconix TrenchFET器件使MOSFET导通电压与移动电子设备中使用的数字IC的1.2V～1.3V工作电压保持一致，从而可实现更安全、更可靠的设计。作为首批可直接从1.2V总线驱动的功率MOSFET，这些新型TrenchFET还提供了额外潜在优势，通过它们，在内核电压低于1.8V的电池供电系统中无需额外的转换。       在额定电压最低为1 Vishay功率MOSFET在1.2V栅源电压时导通电阻值的额定，是一项重要的技术创新，尤其对于电源管理和便携式电子设备的设计。MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是电源系统中常见的开关元件，其导通电阻是衡量其性能的关键参数之一，它直接影响到电路的效率和功率损耗。 传统的MOSFET通常在更高的栅源电压下（如4.5V或10V）进行操作，而Vishay的新型TrenchFET则在1.2V的栅源电压下即能保证额定的导通电阻。这一改进对移动电子设备有着显著的意义，因为这些设备中的数字集成电路通常工作在1.2V至1.3V的电压范围内。因此，新型MOSFET的导通电压与数字IC的工作电压相匹配，消除了额外的电压转换需求，简化了电路设计，提高了系统的整体可靠性。 在电池供电的系统中，特别是在内核电压低于1.8V的情况下，这些可以直接由1.2V总线驱动的MOSFET能够减少能量损失，进一步延长设备的电池寿命。传统的MOSFET在低于额定栅源电压下工作时，导通电阻可能会指数级增加，导致效率降低。然而，Vishay的1.2V TrenchFET即使在1.2V的栅源电压下也能保持低至0.041Ω（n通道）和0.095Ω（p通道）的导通电阻，这远优于传统1.5V栅源电压规格的器件。 Vishay推出了多款新型MOSFET，包括n通道的SiA414DJ、Si8424DB和SiB414DK，以及p通道的SiA417DJ、Si8429DB和SiB417DK，其中Si1499DH（SC-70封装的p通道器件）完善了该系列。这些器件适用于手机、PDA、MP3播放器、数码相机等便携设备的负载切换、功率放大器和电池充电器。除了低导通电阻带来的能效提升，它们的微型封装（如PowerPAK SC-70和MICRO FOOT）也大大节省了电路板空间。 Vishay的这些创新产品现已有样品供应，并可满足大规模生产的需求，交货周期大约为8到10周。这一技术突破不仅简化了设计流程，降低了功耗，而且提高了便携式电子产品的性能和用户体验，对于电源技术领域而言，这是一个重大的进展。