日前,Vishay Intertechnology, Inc. 推出三款面向 OR-ing 应用的功率 MOSFET,这些器件具有三种封装选择,可提供最佳的导通电阻性能,凭借这三款器件,公司将有助于提高固定电信网络的效率。 在企业服务器网络中,OR-ing 功能可在主电源出现故障时接通冗余电源,以确保为系统持续供电。由于 MOSFET 承载来自正在运行的电源的整个负载,因此降低这些器件的功耗可极大降低能源成本。 日前推出的这三款 N 通道 MOSFET 具有 20V 漏极到源极与栅极到源极额定值,并且在 SO-8 占位面积中具有低 至 1.6 毫欧的导通电阻规格。与同类竞争器件相比,这 Vishay Intertechnology, Inc. 近期发布了一系列专为OR-ing应用设计的功率MOSFET,旨在优化固定电信网络的能效。OR-ing功能在电力系统中扮演着重要角色,尤其是在企业服务器网络中,当主电源发生故障时,它能够自动切换到冗余电源,确保系统的连续供电,维持业务的正常运行。由于MOSFET在此过程中承担全部负载,因此降低其功耗对于节省能源成本至关重要。 本次推出的三款N通道MOSFET——Si4398DY、Si7866ADP和SiE808DF,均具备20V的漏极到源极和栅极到源极额定电压。这些器件在SO-8封装中实现了低至1.6毫欧的超低导通电阻,比同类竞品的性能提升了36%,这标志着在功率转换和控制领域的一次显著进步。 Si4398DY在10V时的rDS(on)额定值为2.8毫欧,适用于低功耗整流、直流到直流转换器以及负载点功率转换。其导通电阻的降低意味着在相同应用条件下,可以显著减少能量损失,从而提高系统的整体效率。 Si7866ADP采用了热增强型PowerPAK® SO-8封装,10V时的最大导通电阻为2.4毫欧。其优化的热性能使得在高功率应用中可以处理更大的电流,减少了所需MOSFET的数量,这对于需要冗余电路的交流或直流开关电源尤其有利,能够提升功率密度并支持更高的工作电压。 SiE808DF则采用了创新的PolarPAK封装,具有双面冷却功能,10V时的rDS(on)仅为1.5毫欧,特别适合于需要风冷装置的环境。其出色的热管理能力使其在高功率密度的应用中表现出色,如桌面计算机的同步降压转换器和低输出电压的同步整流。 这三款新型MOSFET均提供样品,并已进入量产阶段,批量订购的交货周期为12到14周。它们代表了Vishay在模拟技术领域的最新成就,为OR-ing应用提供了更高效率、更低能耗的解决方案,进一步推动了电源管理技术的发展。工程师可以根据具体的应用需求和热设计要求,灵活选择最适合的器件,以实现最优的系统性能和能效比。
- 粉丝: 4
- 资源: 919
- 我的内容管理 展开
- 我的资源 快来上传第一个资源
- 我的收益 登录查看自己的收益
- 我的积分 登录查看自己的积分
- 我的C币 登录后查看C币余额
- 我的收藏
- 我的下载
- 下载帮助