IRFR5305TRPBF58-VB MOSFET 应用分析
IRFR5305TRPBF58-VB 是一款 P沟道 TO252 封装 MOSFET,由 Vishay company 生产。该器件具有高达 60V 的漏源电压,100% 的 UIS 测试,且符合 RoHS 指令 2002/95/EC。
应用场景:
* 高侧开关用于全桥转换器
* DC/DC 转换器用于 LCD 显示器
特性:
*halten-free 根据 IEC 61249-2-21 定义
*TrenchFET® Power MOSFET
*100% UIS 测试
*符合 RoHS 指令 2002/95/EC
绝对最大额定值(TA = 25°C,除非另有说明):
*漏源电压 VDS:-60V
*栅源电压 VGS:±20V
*连续漏电流 ID(TJ = 150°C):-100A
*脉冲漏电流 IDM:100A
*avalanche 电流,单脉冲 L = 0.1mH:-22A
*avalanche 能量,单脉冲 EAS:24.2mJ
*功率耗散 PD(TC = 25°C):38.5W
热阻值评级:
*结温-ambient thermal resistance RthJA:172°C/W
*稳态结温-ambient thermal resistance RthJA:455°C/W
*结温-case thermal resistance RthJC:2.73°C/W
电气特性:
*漏源断路电压 VDS:-60V
*栅源阈值电压 VGS(th):-1~-3V
*栅体漏电流 IGSS:±100nA
*零栅电压漏电流 IDSS:-1µA
*导通状态漏电流 ID(on):-10A
*导通状态漏源电阻 RDS(on):26mΩ
*正向跨导 gfs:22S
*输入电容 Cis:250pF
IRFR5305TRPBF58-VB 是一款高性能的 P沟道 MOSFET,适用于高侧开关、DC/DC 转换器等应用场景。