IRFR3910TRPBF-VB一款N沟道TO252封装MOSFET应用分析

"IRFR3910TRPBF-VB 一款 N沟道 TO252 封装 MOSFET 应用分析" IRFR3910TRPBF-VB 是一款 N沟道 TO252 封装 MOSFET，具有高性能和低损耗特点，常用于主动clamp电路、DC-DC 转换器、电源管理和其他高频应用场景。 特性 * 使用 TrenchFET® Power MOSFET 结构，具有高速开关能力和低 Rdson 值 * 工作温度高达 175 °C，满足高温应用要求 * PWM 优化设计，适合高频 PWM 应用 * 100% Rg 测试，确保了 device 的可靠性 * 符合 RoHS 指令 2002/95/EC 应用场景 * 主动 clamp 电路 * DC-DC 转换器 * 电源管理 * 高频应用 主要参数 * 漏电压（VDS）：100 V * 阈值电压（VGS）：± 20 V * 漏电流（ID）：13 A * 等效电阻（RDS）:on Resistance：175 mΩ * 工作温度：-55 °C to 175 °C 绝对最大额定值 * 漏电压（VDS）：100 V * 阈值电压（VGS）：± 20 V * 漏电流（ID）：13 A * 等效电阻（RDS）：175 mΩ * 工作温度：-55 °C to 175 °C 热阻抗 * 芯片到ambient热阻抗（RthJA）：1518 °C/W * 芯片到case热阻抗（RthJC）：0.851115 °C/W 器件特性 * 高频应用优化设计 * 低 Rdson 值 * 高温应用能力 * 高可靠性 应用注意事项 * 在使用 IRFR3910TRPBF-VB 之前，请务必阅读数据手册和应用 notes，以确保正确地使用该器件。 * 在设计应用中，请注意器件的绝对最大额定值和热设计，以避免器件的损害。 结论 IRFR3910TRPBF-VB 是一款高性能的 N沟道 TO252 封装 MOSFET，具有高速开关能力和低损耗特点，广泛应用于主动clamp电路、DC-DC 转换器、电源管理和其他高频应用场景。