电源技术中的Vishay功率MOSFET在1.2V栅源电压时导通电阻值额定

Vishay(威世)日前宣布推出业界首批在1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值的功率MOSFET，这一进步将帮助设计人员简化电源管理电路，同时延长便携式电子系统中的电池运行时间。       额定电压

电源技术中的Vishay功率MOSFET在1.2V栅源电压时导通电阻值额...

Vishay(威世)日前宣布推出业界首批在1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值的功率MOSFET，这一进步将帮助设计人员简化电源管理电路，同时延长便携式电子系统中的电池运行时间。     额定电压为1

电源技术中的Vishay新款功率MOSFET提供1℃/W热阻

Vishay Intertechnology公司宣布推出2款功率MOSFET——SiE802DF和SiE800DF，其热阻均为1℃/W，封装的两面均可散热，主要用于电脑使用的DC-DC转换器等产品。

电源技术中的Vishay新推超薄20V P通道TrenchFET功率MOSFET

日前，Vishay推出了旨在满足对便携式设备中更小元件的需求的20V p通道TrenchFET功率MOSFET，该器件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有此类器件中最薄厚度及最低导通电阻。 　　V

Vishay功率MOSFET在1.5V电压下的RDS低至45mΩ

Vishay公司推出五款新型P通道负载开关，这些是业界首款能够以1.5V栅极驱动电压提供低导通电阻值的器件，而且导通电阻(RDS)低至45mΩ。凭借低阈值电压以及确保可在1.5V栅极驱动电压下运行的规

电源技术中的Vishay推出新型功率MOSFET SiR476DP

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型25V n通道器件，从而扩展了其Gen III TrenchFET功率MOSFET系列，对于采用PowerPAK SO-8封装

电源技术中的Vishay推出面向OR-ing应用的TrenchFET功率MOSFET

VISHAY推出三款面向OR-ing应用的功率MOSFET，这些器件具有三种封装选择，可提供最佳的导通电阻性能，凭借这三款器件，公司将有助于提高固定电信网络的效率。在企业服务器网络中，OR-ing功能

Vishay新款功率MOSFET提供1℃/W热阻..

Vishay Intertechnology公司宣布推出2款功率MOSFET——SiE802DF和SiE800DF，其热阻均为1℃/W，封装的两面均可散热，主要用于电脑使用的DC-DC转换器等产品。

元器件应用中的Vishay推出功率MOSFET肖特基二极管SiB800EDK

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界最小的20V n通道功率MOSFET＋肖特基二极管SiB800EDK，该器件采用1.6mm×1.6mm的热增强型PowerPA

电源技术中的Vishay 推出Siliconix PowerPAK ChipFET功率 MOSFET

Vishay推出七款采用新型 PowerPAK ChipFET 封装的 p 通道功率 MOSFET，该封装可提供高级热性能，其占位面积仅为 3mm×1.8mm。 这些新型 PowerPAK ChipF

元器件应用中的Vishay的P沟道功率MOSFET导通电阻低至1.2Ω

Vishay的子公司Siliconix incorporated推出一系列新型-150V和-200V P沟道功率MOSFET，这些器件提供了面向有源钳位配置的小型解决方案。 　　这些新型P沟道功率MO

工业电子中的Vishay新款TrenchFET?功率MOSFET再度刷新业

导读：近日，推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET功率MOSFET. 　　Vishay再度推出新款TrenchFET功率MOSFET,Vishay

元器件应用中的Vishay推出新款20V P沟道功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK

元器件应用中的Vishay推出PowerPAK SC-75封装p通道功率MOSFET系列

日前，Vishay宣布推出采用 PowerPAK SC-75 封装的 p 通道功率MOSFET系列，该系列包括额定电压介于 8V～30V 的多个器件，这些是采用此封装类型的首批具有上述额定电压的器件。

元器件应用中的Vishay推出业内最低导通电阻N沟道MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件 --- SiR494DP，将该系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的

元器件应用中的Vishay推出P通道TrenchFET功率 MOSFET Si8445DB

Vishay推出新型 20V p 通道 TrenchFET 功率 MOSFET --- Vishay Siliconix Si8445DB，该器件采用 MICRO FOOT 芯片级封装，具有业界最小占

电源技术中的Vishay新款电阻器采用2818封装 额定功率为5瓦

Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布推出一款新型5瓦Power Metal Strip电阻器，据称该电阻器是业界在小型2818封装中能够提供5瓦功率的首款器件。  　　该新

元器件应用中的Vishay推出新型500V功率MOSFET系列产品

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型500V电压的功率MOSFET——SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)

模拟技术中的面向OR-ing应用的功率MOSFET（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc. 推出三款面向 OR-ing 应用的功率 MOSFET，这些器件具有三种封装选择，可提供最佳的导通电阻性能，凭借这三款器件，公司将有助于提

嵌入式系统/ARM技术中的Vishay推出面向OR-ing应用的TrenchFET功率...

Vishay推出三款面向OR-ing应用的功率MOSFET，这些器件具有三种封装选择，可提供最佳的导通电阻性能，凭借这三款器件，公司将有助于提高固定电信网络的效率。在企业服务器网络中，OR-ing功能

元器件应用中的Vishay推出具有63V额定电压的固体钽芯片电容器T97

日前，Vishay宣布扩展了其Tantamount Hi-Rel COTS T97系列，可提供具有 63V 额定电压的首款固体钽芯片电容器，从而能够满足 +28V 电源设计中的额定值降低要求。 　　由

电源技术中的Vishay宣布推出新系列P通道MOSFET

VISHAY宣布推出新系列P通道MOSFET，这些器件建立了VISHAY每单位面积最低导通电阻的新记录。         基于新一代TrenchFET芯片技术的新型VISHAY Siliconix器件

元器件应用中的Vishay推出低导通电阻新型20V P沟道功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款业界最低导通电阻的新型20V P沟道功率MOSFET——SiB457EDK，这是以往1.6mm×1.6mm占位面积的P沟道器

电源技术中的Vishay推出新系列 P 沟道 MOSFET Siliconix 器件

Vishay推出新系列 P 沟道 MOSFET，这些器件建立了每单位面积最低导通电阻的新记录。基于新一代 TrenchFET 芯片技术的新型 Vishay Siliconix 器件采用 PowerPA

元器件应用中的Vishay推出首款采用1.6mm×1.6mm占位的30V功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用热增强PowerPAK SC-75封装、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，扩大了N沟道TrenchFET家族的阵容

电源技术中的Vishay推出首款Power Metal Strip电阻，具0.20W额定功率

Vishay推出以小型0603封装具有0.20W高额定功率的首款Power Metal Strip电阻。WSL0603…18的功率是标准 WSL0603 型器件的两倍，该产品是一种小型表面贴装电阻，主

元器件应用中的Vishay推出单片功率 MOSFET 与肖特基二极管器件

Vishay推出单片功率 MOSFET 与肖特基二极管器件，该器件在直流到直流转换应用中可将运行效率提高 6%。　　新型 Vishay Siliconix Si4642DYSkyFET器件已经过测试，

元器件应用中的Vishay推出单片功率MOSFET与肖特基二极管器件

Vishay推出单片功率MOSFET与肖特基二极管器件，与使用任何先前此类单片器件的电路相比，该器件在直流到直流转换应用中可将运行效率提高6%。新型Vishay Siliconix Si4642DYS

元器件应用中的Vishay推出采用芯片级MICRO FOOT封装的功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx

Vishay推出新款通过AEC-Q101的30 V和40 V P沟道MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款30 V和40 V汽车级p沟道TrenchFET功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ