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MOSFET
VISHAY
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Vishay小功率贴片MOSFET选型表,SI23xx系列,SI2301,SI2302等
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模拟技术中的面向OR-ing应用的功率MOSFET(Vishay)
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日前,Vishay Intertechnology, Inc. 推出三款面向 OR-ing 应用的功率 MOSFET,这些器件具有三种封装选择,可提供最佳的导通电阻性能,凭借这三款器件,公司将有助于提高固定电信网络的效率。 在企业服务器网络中,OR-ing 功能可在主电源出现故障时接通冗余电源,以确保为系统持续供电。由于 MOSFET 承载来自正在运行的电源的整个负载,因此降低这些器件的功耗可
元器件应用中的Vishay发布低导通电阻的TrenchFET功率MOSFET
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日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用双面冷却、导通电阻最低的60V器件——SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK封装,在10V栅极驱动下的最大导通电阻为6.1Ω,比市场上可供比较的最接近器件减小了13%。 N沟道SiE876DF的目标应用是工业型电源、马达控制电路、用于服务器和路由器的AC/DC电源,以及使用负载点(P
Vishay推出高频75V、2A半桥式MOSFET驱动器
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Vishay Intertechnology近日宣布推出可提供2A峰值汇和源栅极驱动电流的高频75V半桥式n通道MOSFET驱动IC。 这款新型SiP41111尤其适用于通常需要40V或60V电压的汽车应用。该75V MOSFET驱动器可用于汽车中的高强度放电管,以及各种终端产品中的高压降压转换器、推拉式转换器、全桥与半桥式转换器、有源钳位正向转换器、电源、电机控制及D类音频系统。 该款S
电源技术中的Vishay推出新型功率MOSFET SiR476DP
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日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型25V n通道器件,从而扩展了其Gen III TrenchFET功率MOSFET系列,对于采用PowerPAK SO-8封装类型且具有该额定电压的器件而言,该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与栅极电荷之乘积。 SiR476DP在4.5V栅极驱动时最大导通电阻为2.1mΩ,在10V栅极驱动时最大导通电阻为1
元器件应用中的Vishay推出新型500V功率MOSFET系列产品
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日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新型500V电压的功率MOSFET——SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C,将该公司的6.2代N沟道平面FET技术延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封装上。 新的SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-22
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电源技术中的Vishay新推超薄20V P通道TrenchFET功率MOSFET
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日前,Vishay推出了旨在满足对便携式设备中更小元件的需求的20V p通道TrenchFET功率MOSFET,该器件采用MICRO FOOT芯片级封装,具有此类器件中最薄厚度及最低导通电阻。 Vishay Siliconix Si8441DB具有0.59mm的超薄厚度,以及1.5mm×1mm的占位面积,这也是在1.2V额定电压时提供导通电阻的首款此类器件。该器件的典型应用包括手机、PDA
电源技术中的Vishay 推出Siliconix PowerPAK ChipFET功率 MOSFET
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Vishay推出七款采用新型 PowerPAK ChipFET 封装的 p 通道功率 MOSFET,该封装可提供高级热性能,其占位面积仅为 3mm×1.8mm。 这些新型 PowerPAK ChipFET 器件的热阻值低 75%,占位面积小 33%,厚度(0.8 毫米)薄 23%,它们成为采用 TSOP-6 封装的 MOSFET 的小型替代产品。这些器件的最大功耗为 3W,与更大的 SO-8 封装
Vishay推出第四代600 V E系列功率MOSFET器件
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日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %,为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案,同时,栅极电荷下降60 %。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内水平,该
元器件应用中的Vishay推出P通道TrenchFET功率 MOSFET Si8445DB
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Vishay推出新型 20V p 通道 TrenchFET 功率 MOSFET --- Vishay Siliconix Si8445DB,该器件采用 MICRO FOOT 芯片级封装,具有业界最小占位面积以及 1.2 V 时业界最低的导通电阻。 随着便携式电子设备的体积越来越小以及它们功能的不断增加,电源管理电路的可用板面空间会极大减少。为实现消费者对用电池做电源的电子设备的更长运行时间
电源技术中的Vishay宣布推出新系列P通道MOSFET
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VISHAY宣布推出新系列P通道MOSFET,这些器件建立了VISHAY每单位面积最低导通电阻的新记录。 基于新一代TrenchFET芯片技术的新型VISHAY Siliconix器件采用PowerPAK SC-70封装(2.05mm×2.05mm)时最大导通电阻额定值为29毫欧,采用标准SC-70封装(2.0mm×2.1mm)时为80毫欧,采用SC-89封装(1.6mm×1.6m
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截至至2020年1月27日,NXP官方提供的最新版本的S32K K1系列芯片的选型手册。通过,主频,温度范围,引脚数,封装类型,是否有CAN,是否有灵活配置IO,是否有安全加密,是否有DMA,以太网等条件快速筛选,确定芯片型号...
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LSTM预测太阳能发电数据和气候数据,和之前的配套,只上传了一年的数据,原来的程序需要适当修改,数据都是个人处理好的
Vishay发布新款IGBT和MOSFET驱动器
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导读:近日,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备,以及其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T,扩充其光电子产品组合。 VOW3120-X017T的最短电气间隙和外爬电距离为10mm.该器件不仅具有长隔离距离,还具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔离电压,非常适合
Vishay 推出75V 2A半桥式MOSFET驱动器SiP41111
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Vishay推出可提供 2A 峰值汇和源栅极驱动电流的高频 75V 半桥式 n 通道 MOSFET 驱动 IC。这款新型 SiP41111尤其适用于通常需要 40V 或 60V 电压的汽车应用。该 75V MOSFET 驱动器可用于汽车中的高强度放电管,以及各种终端产品中的高压降压转换器、推拉式转换器、全桥与半桥式转换器、有源钳位正向转换器、电源、电机控制及 D 类音频系统。该款SiP41111具
电源技术中的Vishay新款功率MOSFET提供1℃/W热阻
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Vishay Intertechnology公司宣布推出2款功率MOSFET——SiE802DF和SiE800DF,其热阻均为1℃/W,封装的两面均可散热,主要用于电脑使用的DC-DC转换器等产品。 其中,SiE802DF用于同步整流式DC-DC转换器的低压端,其导通电阻低,在+10V的栅电压下为1.9mΩ,在+4.5V栅电压下为2.6mΩ,最大工作电流为60A;SiE800DF用于高压端,栅
Vishay功率MOSFET在1.5V电压下的RDS低至45mΩ
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Vishay公司推出五款新型P通道负载开关,这些是业界首款能够以1.5V栅极驱动电压提供低导通电阻值的器件,而且导通电阻(RDS)低至45mΩ。凭借低阈值电压以及确保可在1.5V栅极驱动电压下运行的规范,这些新型器件使设计人员无需使用电平转换电路,并且最大程度地实现了电池供电系统中低工作电压的省电优势。 这五款功率MOSFET中的两款采用LITTLE FOOT TSOP-6封装的器件,
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