激光烧蚀制备纳米Si晶粒的激光能量密度阈值 (2009年)

在10 Pa的Ar环境气氛下,采用脉冲激光烧蚀方法在玻璃或单晶Si(111)衬底上制备了纳米Si 晶薄膜 。为了确定能够形成纳米Si晶粒的激光能量密度阈值,在0 .40～1 .05 J/cm2内实验研究了激光能量 密度对纳米Si晶粒形成的影响 。扫描电子显微镜(SEM)测量证实,随着激光能量密度的减小,所形成的纳 米Si晶粒数目逐渐减少 。当激光能量密度低于0 .43 J/cm2时,衬底表面不再有纳米Si晶粒形成 。从激光烧 蚀动力学角度出发,对实验结果进行了定性分析 。