脉冲激光烧蚀制备窄发光带的分散Si纳米颗粒 (2010年)

采用KrF脉冲准分子激光器烧蚀高阻多晶Si靶，分别在液氮冷却至200K的高定向石墨（HOPG）和单晶Si（100）衬底上制备分散单晶si纳米颗粒。采用拉曼谱（Raman）和高分辨透射电镜（HRTEM）分析证实Si纳米晶粒的形成。结果表明：所形成的纳米Si颗粒具有均匀分散性，相应的光致发光峰位出现在585nm，峰值半高宽为70nm；与相同参数下常温衬底的结果相比，所形成的纳米Si颗粒具有较窄的光致发光谱，并显示出谱峰蓝移现象；Si纳米颗粒尺寸的均匀分布是窄发光带的主要原因。