不同能量密度对脉冲激光沉积纳米硅晶粒尺寸的影响 (2012年)

在室温条件下保持Ar环境气体压强不变，采用脉冲激光沉积(PLD)技术，通过改变激光能量密度，在与烧蚀羽辉轴线垂直放置的衬底上沉积了一系列纳米硅晶薄膜，利用扫描电子显微镜(SEM)和拉曼(Raman)散射光谱对样品进行特性分析．结果表明，在能量密度为2～4 J／cm2时，衬底上沉积的纳米硅晶粒尺寸和面密度基本不变．结合纳米晶粒成核生长动力学，对结果进行了定性解释．