DS10314_STM32F411XE_C_Datasheet数据手册1

STM32F411XC/Datasheet 数据手册1提供了关于STM32F411XE微控制器的详细规格和特性。STM32F411XE是基于Arm Cortex-M4 32位处理器的微控制器，配备了浮点单元（FPU）和Adaptive实时加速器（ART Accelerator），能够在Flash内存中实现零等待状态执行，最大工作频率可达100MHz。该微控制器设计用于全生产阶段的产品，具有高度的性能和效率。 1. **电源管理与温度范围**： - 该微控制器可在1.7V至3.6V的电源电压下工作。 - 温度范围覆盖了-40°C到85/105/125°C，适应不同环境条件。 2. **处理器核心**： - 使用了Arm Cortex-M4内核，内置FPU，支持高级数学运算。 - ART Accelerator允许从Flash内存执行指令时无需等待。 - 内置内存保护单元，提供安全的程序执行环境。 - 高达125 DMIPS（Dhrystone 2.1）的性能，每MHz性能为1.25 DMIPS。 3. **内存配置**： - 提供最多512KB的Flash存储空间，用于存储程序代码和数据。 - 配备128KB的SRAM，用于运行时的数据存储。 4. **时钟、复位和电源管理**： - 应用电源和I/Os的工作电压范围在1.7V到3.6V之间。 - 包括上电复位（POR）、掉电复位（PDR）、电压检测（PVD）和过压保护（BOR）功能。 - 配备4到26MHz的晶体振荡器、16MHz的内部精确RC振荡器和32kHz的RTC校准振荡器。 5. **低功耗特性**： - 运行模式下，外围设备关闭时，电流消耗为100µA/MHz。 - 停止模式（Flash在停止模式中）：快速唤醒时典型值42µA @ 25°C，最大值65µA @ 25°C；慢速唤醒时电流可低至9µA @ 25°C。 - 停止模式（Flash在深度休眠模式中）：电流低至28µA max @ 25°C。 - 待机模式下，无RTC时电流消耗为1.8 µA @25 °C / 1.7 V，带RTC时为11 µA @85 °C @1.7 V。 - VBAT供电给RTC，电流仅为1 µA @25 °C。 6. **模拟特性**： - 1个12位、2.4 MSPS的A/D转换器，支持多达16个通道。 7. **DMA和定时器**： - 16通道通用DMA控制器，支持FIFO和突发传输。 - 最多11个定时器，包括6个16位定时器，2个32位定时器，最高可达100MHz，每个定时器都支持输入捕获/输出比较/PWM或脉冲计数器以及增量编码器输入。 - 2个独立看门狗定时器和一个SysTick定时器。 8. **调试模式**： - 支持串行线调试（SWD）和JTAG接口。 - 内嵌Cortex-M4的Embedded Trace Macrocell。 9. **I/O端口与通信接口**： - 最多81个中断能力的I/O端口。 - 最多78个高速I/Os，速度可达100MHz。 - 最多77个5V耐受I/Os。 - 最多13种通信接口，包括： - 最多3个I2C接口（支持SMBus/PMBus） - 最多3个USART（2个12.5 Mbit/s，1个6.25 Mbit/s），支持ISO 7816接口、LIN、IrDA、调制解调器控制。 - 最多5个SPI接口（全双工和半双工模式） - 1个USB OTG全速接口 - 2个CAN接口 - 1个SDIO接口 - 1个Ethernet MAC接口 STM32F411XE微控制器因其高性能、低功耗特性，以及丰富的外设接口，适合应用于各种需要高效能计算和通讯能力的嵌入式系统，如工业自动化、物联网设备、消费电子和医疗设备等领域。