半导体前道制造工艺流程.ppt

"半导体前道制造工艺流程" 半导体制造工艺是指从原始材料到成品半导体的整个制造过程。这个过程可以分为前段（Front End）制程和後段（Back End）制程两部分。前段制程包括晶圆处理制程（Wafer Fabrication）和晶圆针测制程（Wafer Probe），而後段制程包括构装（Packaging）和测试制程（Initial Test and Final Test）。 在晶圆处理制程中，首先需要在矽晶圆上制作电路与电子元件，如电晶体、电容体、逻辑闸等。这个过程需要复杂的技术和昂贵的设备，需要在无尘室（Clean-Room）中进行制造环境控制。 在晶圆针测制程中，晶圆上形成的小格称为晶方或晶粒（Die），这些晶粒需要经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性，合格的晶粒将会被标上记号（Ink Dot）。 在IC构装制程中，需要将晶粒与配线结合成积体电路，以保护电路免受机械性刮伤或高温破坏。 半导体制造工艺可以分为双极型、MOS型、CMOS型、NMOS型、BiMOS型等多种类型，每种类型都有其特点和优缺点。例如，双极型IC的基本制造工艺包括电隔离区、PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离等，而MOSIC的基本制造工艺则根据栅工艺分类为铝栅工艺和硅栅工艺等。 半导体制造环境要求非常严格，需要控制温度、湿度与含尘等因素，以避免污染和影响半导体的性能。 在半导体制造过程中，需要注意主要污染源，例如微尘颗粒、中金属离子、有机物残留物和钠离子等轻金属。超净间的洁净等级主要由微尘颗粒数/m3来衡量。 在半导体制造过程中，需要使用各种技术和设备，如氧化、沉积、蚀刻、离子植入等，以完成晶圆上电路的加工与制作。 半导体制造工艺流程包括PN结隔离的掺金TTL电路工艺流程、一次氧化衬底制备、隐埋层扩散、外延淀积、热氧化、隔离、光刻、扩散、再氧化、基区扩散、再分布及氧化、发射区光刻、背面掺金、扩散、反刻、铝接触孔、光刻、基区光刻、再分布及氧化、铝合金淀积、钝化层、中测压焊块、光刻、横向晶体管刨面图等步骤。 半导体制造工艺是一个复杂的过程，需要掌握多种技术和设备，以确保半导体的质量和性能。