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双极型制作工艺PPT学习教案.pptx
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双极型制作工艺
(
1
)反偏
PN
结隔离
通过外延,选择性扩散等
工艺方法,
将芯片划分为
若干个由
P
区包围的
N
型
区,
P
区接电路中的最低电位
,使
PN
结
反偏。利用反
偏
PN
结对器件进行隔离。
P
衬底
N
N
N
P
+
P
+
接电路中
的最低电
位
第
1
页
/
共
43
页
反偏
PN
结隔离
工艺简单
占芯片面积较
大
且受反向漏电影响,隔
离效果不是
最佳
寄生电容较大
MOSFE
T
可
以
利
用
自
身
的
PN
结
实现电学隔离
第
2
页
/
共
43
页
(
2
)全介质隔离
用
SiO
2
将要制作元件的
N
型区(或
P
型区)包围起来
,实现隔离
N
N
S
i
O
2
多
晶硅
第
3
页
/
共
43
页
全介质隔离
隔离效果好
工艺复杂(需要
反外延,磨片
等工艺),生产
周期长,成品
率低,成本高
(主要用于高
压和抗辐射等特殊领
域
的集成电路)
第
4
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