双极型三极管，简称BJT（Bipolar Junction Transistor），是电子电路中广泛使用的半导体器件，主要应用于放大和开关功能。本教程主要介绍了NPN和PNP两种类型的双极型三极管。
双极型三极管的基本结构分为硅平面管和锗合金管两种。NPN型三极管由两个P型半导体和一个N型半导体构成，而PNP型则是由两个N型半导体包围一个P型半导体。在NPN型三极管中，发射极（E）、基极（B）和集电极（C）的符号分别代表Emitter、Base和Collector；在PNP型中，顺序相反，分别为Collector、Base和Emitter。
三极管的工作原理基于两个PN结——发射结和集电结。NPN型三极管的发射结是N-P，集电结是P-N；PNP型则相反。为了实现放大作用，发射结需处于正向偏置状态（发射区带负电，基区带正电），而集电结需处于反向偏置状态（集电区带正电，基区带负电）。这样的偏置条件使得电子可以从发射区穿过基区到达集电区，形成电流放大。
三极管内部结构的设计关键在于：
1. 发射区高掺杂，以产生大量的自由电子。
2. 基区很薄，掺杂浓度较低，使得基区的少数载流子数量少，便于控制。
3. 集电结面积较大，以便有效地收集电子，增加集电极电流。
在工作过程中，载流子（主要是电子）从发射区通过发射结进入基区，一部分与基区的空穴复合，形成基极电流Ib；另一部分电子在基区扩散，最终到达集电结，形成集电极电流Ic。同时，反向偏置的集电结也会产生少量反向饱和电流ICBO。
三极管的电流放大作用体现在：当基极电流Ib发生微小变化时，集电极电流Ic会有较大的变化，这是因为基极电流Ib控制了进入集电结的电子数量。这种电流放大效果可以用电流放大系数β（Ic/Ib）或α（Ic/Ie）来衡量，其中α是共发射极直流电流放大倍数，β是共基极直流电流放大倍数。通常，β的值远大于1，表示小幅度的基极电流变化可以引起大幅度的集电极电流变化。
此外，三极管的电流关系满足节点电流定律，即IE（发射极总电流）等于IC（集电极电流）加上IB（基极电流）。在实际应用中，反向饱和电流ICBO（基极开路时的集电极电流）和穿透电流ICEO（发射极开路时的集电极电流）也是重要的参数，它们反映了三极管在无信号输入时的静态工作状态。
总结起来，双极型三极管的核心在于利用PN结的特性实现电流放大，其工作状态由发射结和集电结的偏置条件决定，而电流放大系数是衡量其放大能力的关键参数。理解和掌握这些基本概念对于理解三极管的工作原理及其在电路设计中的应用至关重要。
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