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会计学
1
三极管
PPT
学习课件
1.3.1
结构与符号
N
型硅
B
E
C
N
型硅
P
型硅
二氧化硅
保护膜
N
型锗
E
C
B
P
P
铟球
铟球
由三层半导体、两个
PN
结构成
第
1
页
/
共
43
页
由两块
N
型半导体中间夹着一块
P
型半导体的管子称为
NPN
管。还有一种与它成对偶形式的,即两块
P
型半导体中间夹着一块
N
型半导体的管子,称为
PNP
管。晶体管制造工艺上的特点是:
发射区是高浓度掺杂区,基区很薄且杂质浓度底,集电结面积大。
这样的结构才能保证晶体管具有电流放大作用。
基极
发射极
集电极
晶体管有两个结
晶体管有三个区
晶体管有三个电极
第
2
页
/
共
43
页
三层半导体材料构成
NPN
型、
PNP
型
N
N
P
发射极
E
基极
B
集电极
C
发射结
集电结
—
基区
—
发射区
—
集电区
e
mitter
b
ase
c
olle
ctor
NPN
型
E
C
B
各区主要作用及结构特点:
发射区:
作用:
发射载流子
特点:
掺杂浓度高
基区:
作用:
传输载流子
特点:
薄、掺杂浓度
低
集电区:
作用:
接收载流子
特点:
面积大
符号
第
3
页
/
共
43
页
P
P
N
E
B
C
按材料分:
硅管、锗管
按结构分:
N
PN
、
PNP
按使用频率分:
低频管、高频管
按功率分:
小功率管
< 500 mW
中功率管
0.5
1
W
大功率管
> 1 W
E
C
B
PNP
型
二、类型
第
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