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低功耗高瞬态无片外电容LDO的设计实例
低功耗高瞬态无片外电容LDO的设计实例
CMOS
模拟集成电路设计
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电源管理
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一种应用于SoC芯片的无片外电容LDO稳压器设计.pdf
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一种快速响应LDO环路设计
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低压差线性稳压器LDO(Low Drop-Out regulator)在电子设备供电系统中有着越来越广泛的应用。本文根据LDO稳压器的结构特点，设计一种快速响应通路，通过对高频或快速变化的输出电压反馈，使误差放大器输出一个大的电压响应。该电路具有响应速度快、稳定性好的特点，可广泛应用于不同的低压差线性稳压器。
一种高稳定性的无片外电容的LDO的设计
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考虑到LDO应用在无分立器件的情况下，针对在无片外电容和无片外电阻的情况下对LDO进行研究设计，在无外接电容的情况下，LDO同样能够输出稳定电压，以应用在DC-DC转换器中为内部电路模块进行供电。并通过调整LDO内部运算放大器结构以及对运算放大器进行米勒补偿来调整其零极点，同时在运算放大器内部进行电源隔离的处理，可以显著提高其电源抑制比。最后利用华虹0.18 μm的BCD工艺进行仿真。仿真结果表明
一种高电源抑制比无片外电容LDO设计
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设计了一种可用于射频前端芯片供电的高电源抑制比（PSR）无片外电容CMOS低压差线性稳压器（LDO）。基于对全频段电源抑制比的详细分析，提出了一种PSR增强电路模块，使100 kHz和1MHz处的PSR分别提高了40 dB和30 dB；加入串联RC补偿网络，保证了电路的稳定性；在LDO输出至误差放大器输入的反馈回路引入低通滤波模块，降低了由于输出端接不同负载对反馈回路的影响。电路采用UMC
低电源电压瞬态增强的无片外电容LDO线性稳压器的设计-综合文档
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LDO设计经验小总结
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LDO后需要加稳压管么？大概大家都认为不需要这个东西，其实这个问题主要和系统设计有关。
最新的LDO设计资料
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高稳定性高瞬态响应无片外电容LDO 的设计
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低功耗无片外电容LDO的设计-综合文档
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无片外电容LDO模块的设计2
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[摘要] 随着航天技术的飞速发展，我国对航天事业的发展越发重视，...本文的研究目的是设计了一个无片外电容LDO模块，用于集成在一款抗辐照数模转换器（DAC）芯片内为其地址解码和数据锁存模块等数字电路提供电源电压。
无片外电容LDO模块的设计1
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随着航天技术的飞速发展，我国对航天事业的发展越发重视，集成电路...本文的研究目的是设计了一个无片外电容LDO模块，用于集成在一款抗辐照数模转换器（DAC）芯片内为其地址解码和数据锁存模块等数字电路提供电源电压。
一种无片外电容LDO的稳定性分析
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本文对比分析了传统LDO和无片电容LDO的零极点，运用电流缓冲器频率补偿设计了一款无片外电容LDO，电流缓冲器频率补偿不仅可减小片上补偿电容而且可以增加带宽。对理论分析结果在Cadence平台基上于CSMC0.5um工艺对...
一种应用于SoC芯片的无片外电容LDO稳压器设计
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基于0.18 μm标准CMOS工艺，设计了一种应用于SoC芯片的无片外电容LDO稳压器电路。稳压器电路包括传统的LDO模块和瞬态增强辅助电路模块。源于LDO稳压器的工作原理以及如何增强误差放大器（EA）摆率的思想，提出一种新型的带开关电容瞬态增强电路。LDO稳压器的负载发生瞬态变化时，瞬态增强电路迅速响应，调整输出电压Vout。开关电容导通与关断时能够抑制Vout的跳变和缩短响应后建立时间
一种无片外电容LDO的瞬态增强电路设计
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利用RC高通电路的思想，针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度，而且瞬态增强电路工作的过程中，系统的功耗并没有增加。此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信号工艺。仿真结果表明：整个LDO是静态电流为3.2 μA；相位裕度保持在90.19°以上；在电源电压为1.8 V，输出电压为1.3 V的情况下，当负载电流在10
适应于高速闪存的超快无片外电容LDO
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无片外电容LDO模块的设计-综合文档
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[摘要] 随着航天技术的飞速发展，我国对航天事业的发展越发重视，集成电路技术作为航天技术领域的中流砥柱，如何在复杂的航天环境中保证集成电路芯片的可靠性是人们的研究热点。低压差线性稳压器（LDO）以其低功耗、高精度和响应速度快等优越性能成为使用广泛的电源管理电路之一。因此研究具有抗辐照特性的LDO具有十分
无片外电容LDO的设计-综合文档
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无片外电容LDO的设计[摘要] 传统的低压差线性稳压器LDO，需要在其输出端添加输出电容，以保证系统的稳定性。但这会存在两个主要的问题：一方面，输出端产生的极点位置并不是固定不变的，而是随着负载变化的，LDO的频率补偿很大程度上取决于负载。因此，对输出电容的数值及类型提出了严格的要求;另一方面，增加了成本及PCB板的面积。因
高PSRR低功耗LDO的设计_许聪.caj
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基于高压摆率误差放大器和摆率增强电路的无片外电容LDO
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一种基于电容倍增的无电容式LDO
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设计了一种基于电容倍增的无电容式LDO，将电容倍增模块嵌入到了误差运算放大器的第一级，提升了系统的环路带宽，有良好的瞬态响应。电路通过0.13 m标准CMOS工艺仿真实现，仿真结果显示，系统静态功耗为42 W，当负载...
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芯片设计技术（全流程介绍），从前端设计到后端设计全流程，有助于对芯片设计流程有个全面的了解。从前端设计到后端设计全流程，有助于对芯片设计流程有个全面的了解。
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该资源是ksvd算法的源代码，本人亲测可用。可以先看看我的博客里关于ksvd的那篇文章，再运行代码，效果还是很不错的。
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