一种高电源抑制比无片外电容LDO设计

设计了一种可用于射频前端芯片供电的高电源抑制比（PSR）无片外电容CMOS低压差线性稳压器（LDO）。基于对全频段电源抑制比的详细分析，提出了一种PSR增强电路模块，使100 kHz和1MHz处的PSR分别提高了40 dB和30 dB；加入串联RC补偿网络，保证了电路的稳定性；在LDO输出至误差放大器输入的反馈回路引入低通滤波模块，降低了由于输出端接不同负载对反馈回路的影响。电路采用UMC 65 nm RF CMOS工艺进行设计和仿真，整个芯片面积为0.028 mm2，仿真结果表明，本文设计的LDO的相位裕度为86.8°，在100 kHz处，PSR为-84.4 dB，输出噪声为8.3 nV/[Hz]，在1 MHz处，PSRR为-50.6 dB，输出噪声为6.9 nV[Hz]，适合为噪声敏感的射频电路供电。