一种应用于SoC芯片的无片外电容LDO稳压器设计

基于0.18 μm标准CMOS工艺，设计了一种应用于SoC芯片的无片外电容LDO稳压器电路。稳压器电路包括传统的LDO模块和瞬态增强辅助电路模块。源于LDO稳压器的工作原理以及如何增强误差放大器（EA）摆率的思想，提出一种新型的带开关电容瞬态增强电路。LDO稳压器的负载发生瞬态变化时，瞬态增强电路迅速响应，调整输出电压Vout。开关电容导通与关断时能够抑制Vout的跳变和缩短响应后建立时间，克服传统LDO稳压器Vout跳变与建立时间相互制约的缺陷。仿真结果表明：输入电压在1.8~5 V时，输出电压为1.8 V，线性调整率为0.122 mV/V，静态电流为45.3 μA，负载阶跃从50 μA到50 mA（反之亦然）的恢复时间均小于0.6 μs，可满足SoC芯片的更高要求。