1203GH-VB；Package：TO252；Configuration：Single-N-Channel；VDS：30V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=9mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V；ID：70A；Technology：Trench；
根据提供的文档信息，我们可以深入解析这款1203GH-VB MOSFET的关键特性与应用。该MOSFET属于N-Channel沟道类型，并采用了TO252封装技术，适用于多种电力电子设备中。
### 核心参数解读
#### 1. **封装** (Package)
- **TO252** 封装是一种表面贴装技术(SMT)，它比传统的TO-220封装更小、更轻，适合于高密度PCB设计，同时能够提供良好的热性能。
#### 2. **配置** (Configuration)
- **单N-Channel沟道** (Single-N-Channel)：这表明该MOSFET只包含一个N型沟道，适用于单向电流控制。
#### 3. **VDS (漏极-源极电压)** (VDS)
- **30V**：指MOSFET在正常工作时所能承受的最大漏极-源极电压。这意味着当该电压超过30V时，可能会对器件造成损坏。
#### 4. **VGS (栅极-源极电压)** (VGS)
- **±20V**：这是栅极和源极之间可以承受的最大电压范围。在此范围内操作可以确保MOSFET的可靠性和稳定性。
#### 5. **Vth (阈值电压)** (Vth)
- **1.7V**：这是MOSFET导通的最小电压值。当VGS达到或超过1.7V时，MOSFET将开始导通。
#### 6. **RDS(ON) (漏极-源极导通电阻)**
- **9mΩ@VGS=4.5V**：当栅极-源极电压为4.5V时，漏极-源极之间的导通电阻为9mΩ。
- **7mΩ@VGS=10V**：当栅极-源极电压增加到10V时，导通电阻降低至7mΩ。
#### 7. **ID (最大连续漏极电流)**
- **70A**：这是MOSFET在正常工作温度下所能连续承载的最大电流。
#### 8. **工艺** (Technology)
- **沟槽技术 (Trench)**：采用先进的沟槽技术制造，该技术有助于减少RDS(ON)，提高效率，减少开关损耗。
### 特性
- **TrenchFET® 功率MOSFET**：这是一种高性能的功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点。
- **100% Rg和UIS测试**：Rg表示栅极电阻，UIS表示Unclamped Inductive Switching，这些测试确保了MOSFET在各种极端条件下的可靠性和稳定性。
- **符合RoHS指令2011/65/EU**：表明该MOSFET符合欧盟关于限制特定有害物质使用的标准，是一种环保产品。
### 应用场景
- **OR-ing电路**：用于电源系统的冗余保护，确保系统在其中一个电源故障时仍能正常运行。
- **服务器**：在服务器的电源管理单元(PMU)中，用于提供高效稳定的电源转换。
- **DC/DC转换器**：在DC/DC转换器中，作为开关元件，实现高效的能量转换。
### 参数摘要
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|------|------|----------|--------|--------|--------|------|
| RDS(ON) | - | VGS=10V | - | 0.007 | - | Ω |
| RDS(ON) | - | VGS=4.5V | - | 0.009 | - | Ω |
| VDS | - | VGS=0V, ID=250μA | - | 30 | - | V |
### 绝对最大额定值
- **VDS (漏极-源极电压)**：30V
- **VGS (栅极-源极电压)**：±20V
- **ID (连续漏极电流)**：70A
- **脉冲漏极电流 (Pulsed Drain Current)**：200A
- **雪崩电流脉冲 (Avalanche Current Pulse)**：30mA
- **单脉冲雪崩能量 (Single Pulse Avalanche Energy)**：4.8mJ
### 结论
1203GH-VB是一款高性能的N-Channel MOSFET，具有较低的导通电阻、高效率以及宽泛的应用范围，特别适用于服务器、DC/DC转换器等场合。其采用了先进的沟槽技术制造，能够在紧凑的空间内提供出色的性能。此外，该MOSFET还符合环保标准，适用于要求严格的现代电子产品中。
