13N60M2-VB；Package：TO252；Configuration：Single-N-Channel；VDS：650V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=370mΩ@VGS=10V；ID：11A；Technology：SJ_Multi-EPI；
### 13N60M2-VB：一种N-Channel沟道TO252封装MOS管
#### 概述
13N60M2-VB是一种高性能的N通道超级结功率MOSFET，采用TO252封装形式。该器件具有多种优势，包括低的导通电阻与栅极电荷乘积（Ron x Qg）、低输入电容（Ciss）、减少的开关和传导损耗以及超低的栅极电荷（Qg）。此外，它还具备雪崩能量耐受能力（UIS），使其在多种电源应用中表现出色。
#### 特性详解
- **低的导通电阻与栅极电荷乘积（Ron x Qg）**：这一特性意味着当器件处于导通状态时，电流通过时产生的热量较低，同时开关过程中所需的能量也较少，这对于提高效率至关重要。
- **低输入电容（Ciss）**：降低输入电容可以减少开关过程中的能量损失，并有助于改善整体电路性能。
- **减少的开关和传导损耗**：这使得13N60M2-VB在高频开关应用中表现出更佳的能效。
- **超低的栅极电荷（Qg）**：低栅极电荷意味着更快的开关速度，进一步减少了开关损耗。
- **雪崩能量耐受能力（UIS）**：该特性确保了即使在过载或异常情况下，器件也能保持稳定运行。
#### 应用领域
- **服务器和电信电源供应器**：这些设备通常需要高效、可靠的电源管理解决方案。
- **开关模式电源（SMPS）**：广泛应用于各种电子设备中，包括计算机、消费电子产品等。
- **功率因数校正电源（PFC）**：用于提高交流电源效率，减少能量浪费。
- **照明**：包括高强度放电灯（HID）和荧光镇流器照明系统。
#### 技术参数
- **最大漏源电压（VDS）**：650V
- **最大栅源电压（VGS）**：±30V
- **阈值电压（Vth）**：3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：370mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流（ID）**：11A
- **技术类型**：SJ_Multi-EPI（超级结多晶硅技术）
#### 封装规格
- **封装类型**：TO252
- **配置**：单N通道MOSFET
#### 绝对最大额定值
- **漏源电压（VDS）**：650V
- **栅源电压（VGS）**：±30V
- **连续漏极电流（ID）**：依据不同条件最高可达19A
- **脉冲漏极电流（IDM）**：55A
- **单脉冲雪崩能量**：最高132mJ
- **最大耗散功率（PD）**：依据不同条件最高为83W
- **工作结温范围（TJ）**：-55℃至+150℃
- **漏源电压斜率（dV/dt）**：50V/ns
- **反向二极管dV/dt**：1S
#### 热阻评级
- **结到环境的最大热阻（RthJA）**：0.6°C/W
- **结到外壳（漏极）的最大热阻（RthJC）**：0.6°C/W
#### 规格参数
- **静态特性**：包括漏源击穿电压等关键指标。
- **动态特性**：如栅极电荷、输出电容等。
- **温度特性**：例如随温度变化的导通电阻等。
#### 结论
13N60M2-VB作为一种高性能的N通道MOSFET，在多种电源应用中展现出色的性能和可靠性。其低功耗、高效率的特点使其成为设计现代电源管理系统时的理想选择。无论是服务器、电信设备还是消费电子产品，这款MOSFET都能提供卓越的电源管理方案。
