13N60M2-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管
13N60M2-VB;Package:TO252;Configuration:Single-N-Channel;VDS:650V;VGS:30(±V);Vth:3.5V;RDS(ON)=370mΩ@VGS=10V;ID:11A;Technology:SJ_Multi-EPI; ### 13N60M2-VB:一种N-Channel沟道TO252封装MOS管 #### 概述 13N60M2-VB是一种高性能的N通道超级结功率MOSFET,采用TO252封装形式。该器件具有多种优势,包括低的导通电阻与栅极电荷乘积(Ron x Qg)、低输入电容(Ciss)、减少的开关和传导损耗以及超低的栅极电荷(Qg)。此外,它还具备雪崩能量耐受能力(UIS),使其在多种电源应用中表现出色。 #### 特性详解 - **低的导通电阻与栅极电荷乘积(Ron x Qg)**:这一特性意味着当器件处于导通状态时,电流通过时产生的热量较低,同时开关过程中所需的能量也较少,这对于提高效率至关重要。 - **低输入电容(Ciss)**:降低输入电容可以减少开关过程中的能量损失,并有助于改善整体电路性能。 - **减少的开关和传导损耗**:这使得13N60M2-VB在高频开关应用中表现出更佳的能效。 - **超低的栅极电荷(Qg)**:低栅极电荷意味着更快的开关速度,进一步减少了开关损耗。 - **雪崩能量耐受能力(UIS)**:该特性确保了即使在过载或异常情况下,器件也能保持稳定运行。 #### 应用领域 - **服务器和电信电源供应器**:这些设备通常需要高效、可靠的电源管理解决方案。 - **开关模式电源(SMPS)**:广泛应用于各种电子设备中,包括计算机、消费电子产品等。 - **功率因数校正电源(PFC)**:用于提高交流电源效率,减少能量浪费。 - **照明**:包括高强度放电灯(HID)和荧光镇流器照明系统。 #### 技术参数 - **最大漏源电压(VDS)**:650V - **最大栅源电压(VGS)**:±30V - **阈值电压(Vth)**:3.5V - **导通电阻(RDS(ON))**:370mΩ @ VGS=10V - **连续漏极电流(ID)**:11A - **技术类型**:SJ_Multi-EPI(超级结多晶硅技术) #### 封装规格 - **封装类型**:TO252 - **配置**:单N通道MOSFET #### 绝对最大额定值 - **漏源电压(VDS)**:650V - **栅源电压(VGS)**:±30V - **连续漏极电流(ID)**:依据不同条件最高可达19A - **脉冲漏极电流(IDM)**:55A - **单脉冲雪崩能量**:最高132mJ - **最大耗散功率(PD)**:依据不同条件最高为83W - **工作结温范围(TJ)**:-55℃至+150℃ - **漏源电压斜率(dV/dt)**:50V/ns - **反向二极管dV/dt**:1S #### 热阻评级 - **结到环境的最大热阻(RthJA)**:0.6°C/W - **结到外壳(漏极)的最大热阻(RthJC)**:0.6°C/W #### 规格参数 - **静态特性**:包括漏源击穿电压等关键指标。 - **动态特性**:如栅极电荷、输出电容等。 - **温度特性**:例如随温度变化的导通电阻等。 #### 结论 13N60M2-VB作为一种高性能的N通道MOSFET,在多种电源应用中展现出色的性能和可靠性。其低功耗、高效率的特点使其成为设计现代电源管理系统时的理想选择。无论是服务器、电信设备还是消费电子产品,这款MOSFET都能提供卓越的电源管理方案。
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