122N10N-VB；Package：TO252；Configuration：Single-N-Channel；VDS：100V；VGS：20（±V）；Vth：2.5V；RDS(ON)=10.5mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V；ID：85A；Technology：Trench；
### 122N10N-VB：一种N-Channel沟道TO252封装MOS管
#### 概述
122N10N-VB是一种高性能的N通道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用TO252封装形式。该器件具有低导通电阻、高工作电压等特点，适用于各种开关应用场合。其主要技术参数包括最大漏源电压（VDS）为100V，最大栅源电压（VGS）为±20V，阈值电压（Vth）为2.5V，在不同栅源驱动电压下展现出较低的导通电阻RDS(ON)，例如在VGS=4.5V时RDS(ON)=10.5mΩ，在VGS=10V时RDS(ON)=8.5mΩ。此外，该MOSFET的最大连续漏极电流（ID）为85A。
#### 绝对最大额定值
- **漏源电压**（VDS）：100V
- **栅源电压**（VGS）：±20V
- **连续漏极电流**（ID，TJ=150°C）：85A
- **连续漏极电流**（ID，TJ=125°C）：75A
- **脉冲漏极电流**（IP）：300A
- **雪崩电流**（IAV）：0.1mA
- **单脉冲雪崩能量**（EAS）：280mJ
- **最大耗散功率**（PD，TA=25°C）：176W
- **工作结温范围**（TJ）：-55°C至175°C
#### 特点与优势
122N10N-VB采用了先进的沟槽型结构（Trench Technology），这有助于降低导通电阻并提高整体性能。其100%经过Rg测试和UIS测试，确保了产品的可靠性和一致性。此外，该器件还具备以下特点：
- **低导通电阻**：在不同栅源电压下展现出较低的RDS(ON)值，从而降低了器件在导通状态下的损耗。
- **高工作电压**：最大工作电压可达100V，适用于多种电源转换应用。
- **高电流能力**：连续漏极电流高达85A，能够满足高功率需求的应用场景。
#### 应用领域
122N10N-VB广泛应用于电力电子领域，尤其适用于以下应用场景：
- **主侧开关**：在开关电源中作为主开关元件使用，实现电源的高效转换。
- **隔离式直流变换器**：用于需要电气隔离的DC/DC转换器设计，如服务器电源、工业电源等。
#### 封装与热特性
该MOSFET采用TO252封装，这种封装具有良好的散热性能和较小的外形尺寸。其热阻抗数据如下：
- **结到壳的热阻**（RthJC）：典型值为0.85°C/W，最大值为1.1°C/W
- **结到环境的热阻**（RthJA）：典型值为40°C/W，最大值为50°C/W
这些数据表明122N10N-VB具有良好的热性能，可以在较高功率密度的应用中保持稳定的温度。
#### 结论
122N10N-VB是一种高性能的N通道MOSFET，通过采用先进的沟槽技术实现了低导通电阻、高电流能力和宽工作电压范围。该器件适用于各种电力电子应用，尤其是那些需要高效能和高功率密度的场景。其良好的热性能和可靠的封装设计使其成为许多工业和商业应用的理想选择。
