127N06L-VB；Package：TO252；Configuration：Single-N-Channel；VDS：60V；VGS：20（±V）；Vth：2.5V；RDS(ON)=13mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V；ID：58A；Technology：Trench；
### 127N06L-VB：一种N-Channel沟道TO252封装MOS管
#### 概述
127N06L-VB是一种高性能的N通道MOS场效应晶体管（MOSFET），采用TO252封装形式。该器件由VBsemi制造，其主要特性包括175°C的最高结温、TrenchFET®功率MOSFET技术以及特定的工作参数，使得它适用于高电流和快速开关应用。
#### 技术规格
- **工作温度范围**：-55°C 至 +175°C
- **最大工作电压**：VDS（漏极-源极）为60V
- **最大栅极-源极电压**：VGS为±20V
- **阈值电压**：Vth为2.5V
- **导通电阻**：RDS(ON)在VGS=4.5V时为13mΩ，在VGS=10V时为10mΩ
- **连续漏极电流**：ID为58A
- **技术类型**：Trench
#### 主要特点
- **高温操作能力**：支持高达175°C的结温，这在高温环境中尤其重要。
- **TrenchFET®技术**：这种技术显著降低了导通电阻RDS(ON)，从而减少了导通损耗，提高了效率。
- **材料分类**：尽管具体分类未详细说明，但器件的设计考虑了材料的选择和兼容性。
#### 绝对最大额定值
- **栅极-源极电压(VGS)**：±20V
- **连续漏极电流(ID)**：
- 当结温(TJ)为175°C时，ID为50A
- 当环境温度(TA)为100°C时，ID为100A
- **脉冲漏极电流(IDM)**：100A
- **连续源极电流(IS)**：未明确给出，通常较小
- **雪崩电流(IAS)**：50A
- **单次雪崩能量(EAS)**：125mJ
- **最大耗散功率(PD)**：
- 当环境温度(TA)为25°C时，PD为136W
- 当结温(TJ)为25°C时，PD与TA相同
- **热阻(Rth)**：
- 最大结到环境温度为18°C/W
- 最大结到外壳温度为1.11°C/W
#### 静态参数
- **漏源击穿电压(VDS)**：当ID为250µA时，VDS为60V
- **栅阈电压(VGS(th))**：当VDS为0V且ID为250µA时，VGS(th)为1至3V
- **栅体泄漏电流(IGSS)**：当VDS为60V且VGS为0V时，IGSS为±100nA
- **零栅压漏极电流(IDSS)**：当VDS为60V且VGS为0V时，IDSS为1µA；当TJ为125°C时，IDSS为50µA；当TJ为175°C时，IDSS也为50µA
#### 应用场景
- **电源转换**：由于其低导通电阻和高速切换能力，127N06L-VB非常适合用于各种电源转换应用，如DC-DC转换器。
- **电机控制**：对于需要精确控制电流的应用，例如伺服电机或步进电机控制，该MOSFET也非常有用。
- **逆变器**：在太阳能逆变器或UPS系统等应用中，该器件能够处理高电流并提供稳定的性能。
- **过载保护**：由于其良好的雪崩能力和单次雪崩能量，127N06L-VB可以用于过载保护电路。
#### 结论
127N06L-VB作为一种高性能N通道MOSFET，结合了TrenchFET技术的优点，具有低导通电阻、高电流容量和宽工作温度范围的特点。这些特性使其成为多种电力电子应用的理想选择，特别是在那些需要高效能和可靠性的场合。
