14N03L-VB；Package：TO252；Configuration：Single-N-Channel；VDS：30V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=9mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V；ID：70A；Technology：Trench；
### 14N03L-VB：一种N-Channel沟道TO252封装MOS管
#### 概述
14N03L-VB是一种采用TO252封装技术的N-Channel沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻、高可靠性以及良好的热性能等特点，适用于多种电力电子应用场合，如服务器电源供应、直流转换器等。
#### 主要特性
- **TrenchFET® Power MOSFET**：采用先进的沟槽栅极结构，显著降低导通电阻(RDS(on))，提高整体效率。
- **100% Rg和UIS测试**：确保了每个器件在出厂前都经过严格的质量控制，包括栅极电阻(Rg)和非破坏性绝缘强度(UISTest)测试。
- **符合RoHS指令2011/65/EU**：产品设计符合欧盟有害物质限制标准，环保无铅。
#### 应用领域
- **OR-ing电路**：在冗余电源系统中用于选择性地连接或断开电源，确保系统的连续运行。
- **服务器电源**：用于服务器内部的电源管理单元(PMU)，提供稳定的电压转换及保护功能。
- **DC/DC转换器**：广泛应用于各种电子设备中，实现不同电压等级之间的转换。
#### 技术参数
- **VDS（漏源电压）**：30V，即当栅极和源极间电压为0时，漏极与源极之间可承受的最大电压差。
- **VGS（栅源电压）**：±20V，表示栅极相对于源极端子所能承受的最大正向或反向电压。
- **Vth（阈值电压）**：1.7V，即使MOSFET进入饱和区所需的最小栅源电压。
- **RDS(ON)**（导通电阻）：在不同的栅源电压(VGS)条件下，MOSFET处于导通状态时的漏源电阻。具体数值如下：
- 当VGS=4.5V时，RDS(ON)=9mΩ；
- 当VGS=10V时，RDS(ON)=7mΩ。
- **ID（最大连续电流）**：70A，在特定温度下MOSFET能够连续承载的最大电流。
- **Technology（制造工艺）**：Trench，采用沟槽栅极结构制造的MOSFET。
#### 绝对最大额定值
绝对最大额定值是指器件在不损坏的情况下能承受的最大极限值。这些值仅作为指导，并不代表在这些条件下的正常工作范围：
- **VD**（漏源电压）：30V
- **VG**（栅源电压）：±20V
- **ID**（连续漏极电流）：
- 在结温(TJ)为175°C时，ID为70A
- 脉冲漏极电流(DM)：200A
- **IA**（单脉冲雪崩电流）：0.1mA
- **EA**（单脉冲雪崩能量）：4.8mJ
- **PD**（最大功耗）：
- 在环境温度(TA)为25°C时，PD为100W
- 在TA为70°C时，PD为75W
- **TJ**（工作结温）：-55至175°C
#### 热阻
热阻是指热量在器件内部流动时遇到的阻力。关键参数包括：
- **RthJA**（结到环境的热阻）：最大值为40°C/W
- **RthJC**（结到外壳的热阻）：最大值为0.62°C/W
#### 结论
14N03L-VB是一款高性能的N-Channel MOSFET，适用于多种电力电子应用，尤其是在需要高效能和可靠性的场合。其低导通电阻、高电流承载能力以及良好的热性能使得它成为许多电源管理和转换应用的理想选择。此外，由于采用了先进的制造技术和严格的品质控制流程，该器件能够在苛刻的工作环境中保持稳定可靠的性能表现。
