15N60CFD-VB TO247一种N-Channel沟道TO247封装MOS管

15N60CFD-VB TO247；Package：TO247；Configuration：Single-N-Channel；VDS：650V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V；ID：15A；Technology：SJ_Multi-EPI； ### 15N60CFD-VB TO247: N-Channel沟道TO247封装MOS管 #### 产品概述 15N60CFD-VB TO247是一款采用TO247封装的N-Channel MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有以下特性： - **低功耗系数**（Ron x Qg）：这种设计有助于减少开关过程中的能量损失。 - **低输入电容**（Ciss）：有助于降低开关损耗。 - **超低栅极电荷**（Qg）：这可以减少开关时间，从而进一步降低开关损耗。 - **雪崩能量等级**（UIS）：能够在一定条件下承受过载。 #### 主要参数 - **VDS（漏源电压）**：650V。这是器件在正常工作时所能承受的最大电压。 - **VGS（栅源电压）**：±30V。表示栅极与源极之间所能承受的最大电压范围。 - **Vth（阈值电压）**：3.5V。当栅极电压达到这个值时，器件开始导通。 - **RDS(ON)（导通电阻）**：300mΩ @ VGS=10V。该值越小，导通时的功耗越低。 - **ID（连续漏极电流）**：15A。这是器件在正常工作温度下所能连续承载的最大电流。 - **Technology（技术）**：SJ_Multi-EPI。这是一种采用超级结技术的多层外延工艺，有助于提高器件的性能并降低损耗。 #### 绝对最大额定值 - **Drain-Source Voltage (VDS)**：650V。这是器件在正常操作条件下能够承受的最大漏源电压。 - **Gate-Source Voltage (VGS)**：± 30V。这是栅源间能够承受的最大电压。 - **Continuous Drain Current (ID)**：15A（TJ = 150°C, TCVGS at 10V = 25°C）。这是器件在指定条件下能够连续承载的最大电流。 - **Pulsed Drain Current (IDM)**：45A。这是器件能够短暂承受的峰值电流。 - **Single Pulse Avalanche Energy (EAS)**：286mJ。这是器件能够承受的一次脉冲雪崩能量。 - **Operating Junction and Storage Temperature Range (TJ, Tstg)**：-55 to +150°C。这是器件能够正常工作的结温和存储温度范围。 #### 应用场景 - **服务器和电信电源**：适用于高效率、大功率的电源系统。 - **开关模式电源（SMPS）**：广泛应用于各种电子设备中。 - **功率因数校正电源（PFC）**：用于提高电力系统的功率因数。 - **照明应用**： - 高强度放电（HID）照明。 - 荧光灯镇流器。 - **工业应用**： - 焊接。 - 感应加热。 - 电机驱动。 - 电池充电器。 - 可再生能源发电。 - 太阳能（光伏逆变器）。 #### 热阻特性 - **Maximum Junction-to-Ambient (RthJA)**：2°C/W。这是器件从结到周围环境的热阻。 - **Maximum Junction-to-Case (RthJC)**：0.7°C/W。这是器件从结到外壳的热阻。 #### 结论 15N60CFD-VB TO247是一款高性能的N-Channel MOSFET，其出色的电气性能和广泛的适用性使其成为多种应用的理想选择。无论是高功率电源还是复杂的工业控制系统，这款器件都能提供可靠的性能，并有助于提高整体效率和可靠性。此外，其低功耗系数和低输入电容等特性使得它在需要高效转换的应用中表现出色。 通过以上分析，我们可以看出15N60CFD-VB TO247在设计时充分考虑了高性能、高可靠性和低损耗的需求，是各种电力电子系统中不可或缺的关键组件之一。