11N60C2-VB TO247；Package：TO247；Configuration：Single-N-Channel；VDS：650V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=430mΩ@VGS=10V；ID：18A；Technology：Plannar；
### 11N60C2-VB TO247 N-Channel MOSFET 技术解析
#### 产品概述
11N60C2-VB TO247 是一款采用TO-247封装的单通道N-Channel MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。此款MOSFET具有以下特点：
- **最大击穿电压**（VDS）为650V。
- **导通电阻**（RDS(on)）在25°C下为0.3Ω，当栅源电压（VGS）为10V时。
- **输入电容**（Ciss）、**栅极电荷**（Qg）等关键参数进行了优化，有效降低了开关损耗。
- **额定单脉冲雪崩能量**（EAS）为367mJ。
#### 特性
- **减小的反向恢复时间**（trr）、**反向恢复电荷**（Qrr）和**反向恢复峰值电流**（IRR），使得在高频开关应用中的性能更佳。
- **低的输入电容**（Ciss），有助于提高效率并减少开关损耗。
- **低的栅极电荷**（Qg），意味着较低的开关损耗和更快的开关速度。
- **具有雪崩能力**（UIS），能够承受一定的过载情况而不损坏。
#### 应用领域
11N60C2-VB TO247 可广泛应用于多种场合：
- **电信行业**：服务器电源、电信电源供应。
- **照明系统**：高强度放电灯（HID）、荧光灯镇流器。
- **消费电子与计算机**：ATX电源供应。
- **工业设备**：焊接设备、电池充电器。
- **可再生能源**：太阳能光伏逆变器。
- **开关模式电源**（SMPS）。
#### 绝对最大额定值
- **漏源电压**（VDS）：650V。
- **栅源电压**（VGS）：±30V。
- **连续漏极电流**（ID）：在不同条件下的典型值和最大值不同。
- 当环境温度为25°C且栅源电压为10V时，连续漏极电流为16A。
- 在脉冲模式下，最大电流可以达到53A。
- **线性退化因子**：1.7W/°C。
- **单脉冲雪崩能量**（EAS）：367mJ。
- **最大功耗**（PD）：208W。
- **工作结温和存储温度范围**（TJ）：-55°C至+150°C。
- **漏源电压斜率**（dV/dt）：37V/ns。
#### 热阻特性
- **最大结到环境热阻**（RthJA）：2°C/W。
- **最大结到壳热阻**（RthJC）：0.5°C/W。
#### 典型电气特性
- **输入电容**（Ciss）：6nC。
- **栅源电容**（Qgs）：14nC。
- **栅漏电容**（Qgd）：33nC。
- **输出电容（上升阶段）**（Coss(er)）：具体数值未给出，但它是固定的电容值，在漏源电压从0%上升到80%VDSS的过程中提供相同的能量。
- **输出电容（过渡阶段）**（Coss(tr)）：同上，但在漏源电压从0%上升到80%VDSS的过程中提供相同的充电时间。
#### 结论
11N60C2-VB TO247 作为一款高性能的N-Channel MOSFET，通过其优化的设计和特性，特别适合用于高频率开关电源和其他需要快速开关操作的应用中。其出色的热性能和高可靠性使其成为多种工业和商业应用的理想选择。
