11NM50N-VB TO252；Package：TO252；Configuration：Single-N-Channel；VDS：650V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=370mΩ@VGS=10V；ID：11A；Technology：SJ_Multi-EPI；
根据提供的文档信息，我们可以深入解析这款11NM50N-VB TO252 MOSFET的相关特性及其应用领域。
### 产品概述
11NM50N-VB TO252是一种N-Channel沟道的超级结(Super Junction)功率MOSFET，其采用TO252封装形式。该MOSFET的主要特性包括：
- **低功耗因子(Ron x Qg)**：这表示在导通状态下和开关过程中损耗的能量较少，有助于提高整体效率。
- **低输入电容(Ciss)**：有助于减少开关损耗，提高开关速度。
- **超低门极电荷(Qg)**：进一步减少了开关过程中的能量损失，提高了能效。
- **具有雪崩能量评级(UIS)**：能够在一定条件下承受反向电压冲击，增强了器件的可靠性和耐用性。
### 技术参数
- **最大漏源电压(VDS)**：650V
- **最大栅源电压(VGS)**：±30V
- **阈值电压(Vth)**：3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**：在VGS=10V时为370mΩ
- **最大连续漏极电流(ID)**：11A
- **技术类型**：SJ_Multi-EPI
### 应用领域
11NM50N-VB TO252适用于多种电力转换场景，包括但不限于：
- **服务器和电信电源**：适用于需要高效率、小体积的电源系统。
- **开关模式电源(SMPS)**：广泛应用于各种电子设备的电源管理。
- **功率因数校正(PFC)电源**：用于改善电源系统的功率因数，降低电网损耗。
- **照明**：包括高强度放电(HID)灯和荧光镇流器等。
### 绝对最大额定值
这些参数指出了MOSFET能够承受的最大工作条件，超出这些条件可能会导致损坏或性能下降。
- **最大漏源电压(VDS)**：650V
- **最大栅源电压(VGS)**：±30V
- **连续漏极电流(ID)**：
- 在TJ = 150°C时为19A
- 在TCA = 100°C时为7A
- **脉冲漏极电流(IDM)**：55A
- **单脉冲雪崩能量(EAS)**：132mJ
- **最大功率耗散(PD)**：83W/83W/31W
- **工作和存储温度范围(TJ, Tstg)**：-55°C至+150°C
- **漏源电压斜率(dV/dt)**：50V/ns
### 热阻特性
热阻特性是指MOSFET内部热量传递的能力，对于评估散热设计至关重要。
- **最大结到环境热阻(RthJA)**：≤0.6°C/W
- **最大结到壳体热阻(RthJC)**：≤0.6°C/W
### 结论
11NM50N-VB TO252作为一款高性能的N-Channel超级结功率MOSFET，通过其低功耗因子、低输入电容和超低门极电荷等特性，在多个应用领域展现出了优异的表现。无论是服务器电源、电信电源还是开关模式电源等领域，它都能够提供高效的电力转换解决方案。同时，通过其绝对最大额定值和热阻特性的介绍，可以更好地理解该MOSFET在实际应用中的工作范围及散热需求，从而确保系统设计的安全性和可靠性。
