10NM60N-VB TO251；Package：TO251；Configuration：Single-N-Channel；VDS：650V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V；ID：9A；Technology：SJ_Multi-EPI；
### 10NM60N-VB TO251 N-Channel沟道TO251封装MOS管
#### 概述
10NM60N-VB TO251是一种采用TO251封装技术的单通道N-Channel MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有较高的击穿电压、低导通电阻和优秀的开关性能等特点，适用于各种电源转换应用场合。
#### 主要特性
- **低功耗特性**：Ron x Qg（导通电阻与栅极电荷乘积）较低，有助于降低整体能耗。
- **低输入电容**：Ciss（输入电容）较小，减少了开关损耗，提高了效率。
- **减少开关损耗与导通损耗**：通过优化设计实现更低的开关损耗和导通损耗，从而提高系统的整体效率。
- **超低栅极电荷**：Qg（栅极电荷）极低，有助于进一步减少开关时间，提高开关频率。
- **雪崩能量评级**：UIS（Unclamped Inductive Switching）技术确保了在非钳位电感开关情况下能够承受较高的能量冲击。
#### 应用范围
- **服务器及电信电源供应器**：用于高性能服务器及电信设备中的电源模块，提供稳定高效的电力支持。
- **开关模式电源(SMPS)**：广泛应用于各种电子设备中的电源转换系统，如计算机电源、工业控制电源等。
- **功率因数校正(PFC)电源**：用于改善AC到DC转换过程中的功率因数，提高能源利用率。
- **照明应用**：
- 高强度放电(HID)灯：适用于需要高亮度照明的场所，如街道照明、工业厂房等。
- 荧光镇流器照明：适用于办公室、学校等需要高效节能照明的应用场景。
#### 技术规格
- **击穿电压(VDS)**：最大为650V，能够在高压环境下稳定工作。
- **栅源电压(VGS)**：额定电压为±30V。
- **阈值电压(Vth)**：最低为3.5V，使得该器件在较低电压下也能正常开启。
- **导通电阻(RDS(ON))**：当VGS=10V时，RDS(ON)为500mΩ，低导通电阻有助于降低导通状态下的损耗。
- **连续漏极电流(ID)**：最大为9A，在大电流条件下仍能保持良好性能。
- **技术类型**：SJ_Multi-EPI，即超级结多外延技术，这种技术能够显著降低导通电阻并减少开关损耗。
#### 绝对最大额定值
- **漏源电压(VDS)**：最高可达650V。
- **栅源电压(VGS)**：±30V。
- **连续漏极电流(ID)**：在最高结温(TJ)为150°C时，最大为9A。
- **脉冲漏极电流(IDM)**：重复性额定值，脉冲宽度受最高结温限制。
- **线性退化因子**：W/°C。
- **单脉冲雪崩能量(EAS)**：最大值不详，但通过UIS技术确保器件能够在非钳位电感开关条件下承受高能量冲击。
- **最大功耗(PD)**：未给出具体数值。
- **工作和存储温度范围(TJ, Tstg)**：-55°C至+150°C。
- **漏源电压斜率(dV/dt)**：在最高结温125°C时，未给出具体数值。
#### 热阻特性
- **最大结至环境热阻(RthJA)**：3°C/W。
- **最大结至壳热阻(RthJC)**：0.6°C/W。
#### 结论
10NM60N-VB TO251是一款性能卓越的N-Channel MOSFET，通过其低功耗特性、高击穿电压以及优秀的开关性能，在各种电源转换应用中展现出出色的表现。无论是服务器电源、电信设备电源还是其他类型的开关模式电源，该器件都能够提供稳定可靠的电力支持。此外，其低导通电阻和雪崩能量评级特性也使其成为需要高效节能解决方案的理想选择。
