11NM65N-VB TO252一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

11NM65N-VB TO252；Package：TO252；Configuration：Single-N-Channel；VDS：650V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=370mΩ@VGS=10V；ID：11A；Technology：SJ_Multi-EPI； 根据提供的文档信息，我们可以深入解析这款11NM65N-VB TO252 MOSFET的相关特性及其应用领域。 ### 产品概述 11NM65N-VB TO252是一种N-Channel沟道的超级结(Super Junction)功率MOSFET，其采用TO252封装形式。该MOSFET的主要特性包括： - **低功耗因子(Ron x Qg)**：这表示在导通状态下和开关过程中损耗的能量较少，有助于提高整体效率。 - **低输入电容(Ciss)**：有助于减少开关损耗，提高开关速度。 - **超低栅极电荷(Qg)**：进一步减少了开关过程中的能量损失，提高了能效。 - **具有雪崩能量评级(UIS)**：能够在一定条件下承受反向电压冲击，增强了器件的可靠性和耐用性。 ### 技术参数 - **最大漏源电压(VDS)**：650V - **最大栅源电压(VGS)**：±30V - **阈值电压(Vth)**：3.5V - **导通电阻(RDS(ON))**：在VGS=10V时为370mΩ - **最大连续漏极电流(ID)**：11A - **技术类型**：SJ_Multi-EPI ### 应用领域 11NM65N-VB TO252适用于多种电力转换场景，包括但不限于： - **服务器和电信电源**：适用于需要高效率、小体积的电源系统。 - **开关模式电源(SMPS)**：广泛应用于各种电子设备的电源管理。 - **功率因数校正(PFC)电源**：用于改善电源系统的功率因数，降低电网损耗。 - **照明**：包括高强度放电(HID)灯和荧光镇流器等。 ### 绝对最大额定值 这些参数指出了MOSFET能够承受的最大工作条件，超出这些条件可能会导致损坏或性能下降。 - **漏源电压(VDS)**：最大650V - **栅源电压(VGS)**：±30V - **连续漏极电流(ID)**：最大19A(TJ=150°C, VGS=10V, TC=25°C) - **脉冲漏极电流(IDM)**：最大55A - **单脉冲雪崩能量(EAS)**：最大132mJ - **最大功耗(PD)**：最大83W - **工作温度范围(TJ, Tstg)**：-55°C至+150°C ### 热阻参数 热阻参数反映了MOSFET内部热量传递到外部环境的能力，对于散热设计至关重要。 - **最大结温到环境热阻(RthJA)**：最大0.6°C/W - **最大结温到外壳(漏极)热阻(RthJC)**：最大0.6°C/W ### 结论 11NM65N-VB TO252是一款高性能的N-Channel超级结MOSFET，其优异的电气性能和广泛的适用范围使其成为许多高功率应用的理想选择。无论是用于服务器电源、电信设备还是其他需要高效、稳定电力转换的应用场景，这款MOSFET都能提供出色的解决方案。对于设计人员来说，了解其详细的技术规格和工作条件对于确保系统稳定运行至关重要。