10NM65N-VB TO251一种N-Channel沟道TO251封装MOS管
10NM65N-VB TO251;Package:TO251;Configuration:Single-N-Channel;VDS:700V;VGS:30(±V);Vth:3.5V;RDS(ON)=450mΩ@VGS=10V;ID:11A;Technology:SJ_Multi-EPI; ### 10NM65N-VB TO251 N-Channel沟道TO251封装MOS管关键知识点解析 #### 一、产品概述 10NM65N-VB是一款采用TO251封装的单通道N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件具有以下特性: - **低功耗系数**:Ron × Qg(导通电阻与栅极电荷乘积)低。 - **低输入电容**:Ciss(栅源间总电容)小,有助于降低开关损耗。 - **低栅极电荷**:Qg(栅极电荷)非常低,减少开关过程中的能量消耗。 - **高雪崩能力**:支持UIS(Unclamped Inductive Switching)条件下的能量释放。 #### 二、应用领域 10NM65N-VB TO251适用于多种电源管理和转换场景,包括但不限于: - **服务器和电信电源供应器**:为数据中心和通信基础设施提供稳定可靠的电源管理。 - **开关模式电源(SMPS)**:广泛应用于计算机、消费电子等领域。 - **功率因数校正电源(PFC)**:提高交流电转换效率,减少能源浪费。 - **照明应用**:如高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器,满足不同照明需求。 #### 三、技术规格 1. **基本参数** - **工作温度范围**:-55°C至+150°C。 - **最大漏源电压**(VDS):700V。 - **最大栅源电压**(VGS):±30V。 - **最大连续漏极电流**(ID):11A(在结温150°C时),脉冲漏极电流(IDM)最高可达28A。 - **导通电阻**(RDS(ON)):450mΩ(当VGS=10V时)。 - **栅极电荷**(Qg):最大值为70nC。 - **输入电容**(Ciss):未明确给出,但根据产品特点可知其较低。 2. **绝对最大额定值** - **漏源电压**(VDS):700V。 - **栅源电压**(VGS):±30V。 - **连续漏极电流**(ID):最高11A。 - **脉冲漏极电流**(IDM):28A。 - **线性降额因子**:1.4W/°C。 - **单脉冲雪崩能量**(EAS):226mJ。 - **最大功耗**(PD):156W。 - **操作结温和存储温度范围**(TJ, Tstg):-55°C至+150°C。 3. **热阻参数** - **最大结至环境热阻**(RthJA):2°C/W。 - **最大结至外壳热阻**(RthJC):0.8°C/W。 4. **电气特性** - **静态特性** - **漏源击穿电压**(VDS):最小值为700V。 - **导通电阻温度系数**:未给出具体数值,但通常与材料特性和制造工艺有关。 5. **焊接推荐** - **峰值温度**:300°C(持续时间不超过10秒)。 #### 四、性能特点 - **低功耗系数**(Ron × Qg)有助于减少开关和导通损耗,提高整体能效。 - **低输入电容**(Ciss)和**低栅极电荷**(Qg)可以显著减少开关过程中能量损失,从而提高电源转换效率。 - **高雪崩能力**使得该器件能够在极端条件下正常工作,例如在负载突变或故障情况下。 #### 五、总结 10NM65N-VB TO251是一款高性能、高可靠性的N-Channel MOSFET,适用于各种电源管理应用场景。其优秀的电气特性、低损耗以及高耐压能力使其成为服务器电源、SMPS、PFC和照明系统等领域的理想选择。通过优化设计和严格的质量控制,该器件能够满足严格的工业标准,并在实际应用中表现出色。
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