碳化硅（SiC）MOSFET 的使用促使了多个应用的高效率电力输送，比如电动车快速充电、电源、可再生能源以及电网基础设施。虽然它们的表现比传统的硅（Si）MOSFET 和 IGBT 更为出色，但驱动方式却不尽相同，必须要在设计过程中进行缜密的思考。以下是一些 SiC 栅极驱动器的一些示例要求：1：驱动供电电压包含开通的正压和关断的负压
2:共模瞬态抗扰度（CMTI）大于 100 kV/µs
3：最大工作绝缘电压可达 1700 V
4：驱动能力可达 10 A
5：传输延迟时间和频道不匹配时间小于 10 ns
6：主动米勒钳位
7：快速短路保护（SCP）（小于 1.8 µs）对于 SiC MOSFET 的一般驱动考虑
鉴于这些要求，需要考虑几个栅极驱动器技术。磁耦合驱动器是一个相对成熟的技术，但是在磁场应用中也会成为一个令人关切的问题。电容耦合驱动器具备来自高电压应力和改进后对外部磁场抗扰度的出色保护，同时以最低的延迟提供非常迅捷的开关。但是，这项技术仍然容易受高电场应用问题的影响。作为更为传统的绝缘方式、光耦合非常有效并可提供出色的瞬变和噪音保护...
