具有双级关断保护功能的汽车双通道SiC MOSFET 栅极驱动器 参考设计 1.pdf

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SiCDescription This reference design is an automotive qualified, isolated gate-driver solution for driving Silicon Carbide (SiC) MOSFETs in half-bridge configuration. The design includes two push-pull bias supplies for the dual-channel isolated gate drivers, respectively, and each supply provides 15 V and –4-V output voltage and 1-W output power. The gate driver is capable of delivering 4-A source and 6-A sink peak current. The driver implements reinforced isolation and can withstand 8-kV Peak and 5.7-kV RMS isolation voltage and > 100-V/ns common mode transient immunity (CMTI). The reference design contains the two-level turnoff circuit, which protects the MOSFET from voltage overshoot during a short-circuit scenario. The DESAT detection threshold and the delay time for second stage turnoff are configurable. The ISO7721- Q1 digital isolator is implemented for interfacing the signals of fault and reset. All was designed on a twolayer PCB board with a compact form factor of 40 mm × 40 mm.

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