1700V碳化硅MOS：1A-5A-40A -100A,封装TO-220F, TO247-3, TO247-4, TO263-7

1700V SiC MOSFET国产首款针碳化硅功率器件对高压电源应用而开发，具有较高的耐压，极低的栅极电荷，较小的导通电阻Rds（on）。广泛适用于工业电机驱动，光伏，直流充电桩，储能变换器器以及UPS等三相功率变换系统中辅助电源设计，可以提高辅助电源系统效率、简化驱动电路设计，降低散热成本，大幅度减少辅助开关电源成本。更能胜任在特别需要更高耐压以及雪崩等级的工业领域的设计要求,对要求高频的应用更是不二选择,高频特性让电路中的磁性单元体积更小,重量更轻。反向恢复时间“零”特性让电路的开关损耗大幅度降低,加上更优异的热传导系数,让工程师在设计散热方面不再烦恼。 【1700V SiC MOSFET碳化硅功率器件】是新一代的电力电子元件，专为高压电源应用设计。这款器件具有显著的技术优势，包括： 1. **高耐压能力**：这款1700V SiC MOSFET能够承受高达1700伏的电压，适用于高压环境下的各种应用，如工业电机驱动、光伏系统、直流充电桩和储能变换器。 2. **低栅极电荷与低导通电阻**：低栅极电荷意味着更快的开关速度，而低导通电阻Rds(on)（750毫欧和20毫欧两种规格）则确保了在运行时能有效降低功耗，提高电源转换效率。 3. **优化的封装设计**：独立的驱动源引脚使得并联操作更为简便，同时简化了驱动电路的设计，降低了整体系统复杂性。 4. **出色的高频特性**：由于碳化硅材料的固有特性，该器件适合高频操作，允许设计更小型化的磁性单元，减轻重量，提高系统功率密度。 5. **零反向恢复时间**：与传统硅器件相比，SiC MOSFET几乎无反向恢复时间，大大降低了开关损耗，从而改善了整个系统的能效。 6. **卓越的热性能**：更高的热传导系数使得器件在散热方面表现优异，降低了冷却系统的成本和设计难度。 7. **应用广泛**：1700V SiC MOSFET适用于电动车电机驱动、高压直流/直流转换器、开关模式电源、太阳能逆变器以及电动汽车充电设施等领域。 8. **电气参数**：包括最大漏源电压(VDSD)1700V，连续漏电流(ID)在25℃下可达100A，门阈电压(VGS(th))在18V时推荐开启，推荐关闭电压为-5V。静态和动态特性如输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)和反向传输电容(Rrss)等，都有明确的典型值和范围，保证了器件在不同工作条件下的稳定性能。 1700V SiC MOSFET是一款高性能、高效率的功率器件，尤其适合对耐压、效率和体积有严苛要求的新能源和工业领域应用。其设计创新和性能优势将推动电力电子技术的发展，为未来的绿色能源解决方案提供强大支持。