原厂资料ddr4-point-to-point设计指南

DDR4增加了超过30个新特性，其中大量提供了改进的信令或调试功能： CA奇偶校验、多用途寄存器、可编程写前导、可编程读前导、读序言训练、写CRC、读DBI、写DBI、VREFDQ校准和每个DRAM寻址性。提供对这些特性的深入解释超出了本文档的范围；然而，一个成功的DDR4高速设计将需要使用这些新特性，它们不应被忽视。美光DDR4数据表提供了对这些特性的深入解释。 DDR4内存系统与DDR3系统在许多方面相当相似，但有几项显著且重要的变化直接影响了DDR4设计，包括以下几个关键点： 1. **新VPP电源**：DDR4引入了一个新的电源电压VPP，用于为DDR4内存的辅助功能（如ECC）供电。与DDR3相比，这需要额外的电源管理电路。 2. **移除VREFDQ参考输入**：DDR3中的VREFDQ是一个外部参考电压，而在DDR4中，VREFDQ参考输入被移除，取而代之的是内部校准机制，这要求更精确的内部电压控制。 3. **接口变化**：DDR4的I/O缓冲器接口从中间点终止的SSTL（System Serial Transceiver Logic）转变为VDD终止的伪开漏（POD）。这种变化旨在减少信号反射，提高信号完整性。 4. **ACT_n控制**：ACT_n是DDR4新增的激活引脚，用于控制DRAM的行选通操作，提高了内存访问的效率和灵活性。 DDR4引入了超过30个新特性，其中一些关键的信号和调试功能包括： - **CA奇偶校验**：CA（Command Address）奇偶校验增强了数据传输的错误检测能力。 - **多用途寄存器**：允许更灵活的命令和地址配置，以适应不同的系统需求。 - **可编程写前导**和**可编程读前导**：使得系统可以调整预加重和均衡，优化信号质量。 - **读序言训练**：确保在高速运行时的数据接收准确无误。 - **写CRC（Cyclic Redundancy Check）**：通过校验码验证写入数据的完整性和准确性。 - **读DBI（Data Bus Inversion）**和**写DBI**：自动修正数据总线上的错误，提高数据传输的可靠性。 - **VREFDQ校准**：对数据线的参考电压进行校准，确保信号在传输过程中的稳定性。 - **每个DRAM寻址性**：允许对每个DRAM颗粒单独进行配置和校准，以适应不同的制造差异。 这些特性在DDR4数据表中有详细的解释，对于实现高效能和高带宽的系统设计至关重要。正确地设计和利用这些特性，能够克服由技术进步带来的时序约束，从而提升系统性能。 在设计DDR4板卡时，应遵循一系列的设计规则，例如确保足够的信号裕量，考虑PCB布线的影响，以及进行充分的信号完整性分析。计算过程，如VREFDQ的校准和数据总线写训练，需要严格按照规格书中的步骤进行，以满足严格的DDR4定时规范。未正确执行这些校准和训练可能导致性能严重下降。 DDR4内存系统的设计需要充分利用其新特性，并且需要深入理解每个特性的工作原理和应用方法。只有这样，才能确保设计出的系统能够充分发挥DDR4的优势，实现更高的数据传输速率和系统性能。