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DDR4内存
JESD79‑4C
2020年1月
联合电子设备工程委员会
标准
JEDEC固态技术协会
(JESD79‑4B修订版,2017年6月)
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价格:联系JEDEC
美国印刷
版权所有
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组织内,有一些程序可以进一步处理JEDEC标准或出版物并最终成为ANSI标准。
©JEDEC固态技
术协会2020出版
240号套房南
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料。
阿灵顿,弗吉尼亚州22201‑2108
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注意
北十街3103号
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法律!
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北十街3103号
阿灵顿,弗吉尼亚州22201‑2107
这
JEDEC固态技术协会
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或参阅www.jedec.org下的标准文档/版权信息。
欲了解信息,请联系:
请!
240号套房南
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内容
JEDEC标准号79‑4C
1.范围............................................................................................................................................................................................................12.DDR4SDRAM封装引脚排列和寻
址.........................................................................................................................12.1X4、X8和X16的DDR4SDRAM
行........................................................................................................................12.2DDR4SDRAM球间
距...................................................................................................................................................12.3X4、X8和X16的DDR4SDRAM
列.......................................................................................................................12.4使用MO‑207的DDR4SDRAMX4/8
Ballout....................................................................................................................22.5使用MO‑207的DDR4SDRAMX16
Ballout.....................................................................................................................32.6使用MO‑XXX的DDR4SDRAMX32
Ballout......................................................................................................................................42.7引脚排列说
明............................................................................................................................................................................52.8DDR4SDRAM寻
址.....................................................................................................................................................72.9DDP单列(SR)x16来自两个
x8.......................................................................................................................................83.功能说
明.....................................................................................................................................................................................103.1简化状态
图.............................................................................................................................................................103.2基本功
能............................................................................................................................................................113.3RESET和初始化程
序............................................................................................................................113.3.1上电初始化序列......................................................................................................................11
3.3.2上电初始化序列时的VDD压摆率.........................................................................................143.3.3稳定电源复位初始
化............................................................................................................143.4寄存器定
义..............................................................................................................................................................................153.4.1模式寄存器编
程...................................................................................................................................153.5模式寄存
器.............................................................................................................................................................................................184.DDR4SDRAM命令说明及操
作.....................................................................................................................................294.1命令真值
表....................................................................................................................................................................................294.2CKE真值
表............................................................................................................................................................................304.3突发长度、类型和顺
序.............................................................................................................................................................314.3.1启用CRC的BL8突发顺
序........................................................................................................................314.4DLL‑off模式和DLL开/关切换程
序.............................................................................................................324.4.1DLL开/关闭切换程
序.......................................................................................................................................................324.4.2DLL“开”到DLL“关”的过
程......................................................................................................................................324.4.3DLL“关闭”至DLL“开启”程
序.......................................................................................................................................334.5DLL关闭模
式...................................................................................................................................................................................................344.6输入时钟频率变
化................................................................................................................................................................354.7写入均
衡............................................................................................................................................................................364.7.1该模式下写入均衡和DRAM终止功能的DRAM设
置.......................................................374.7.2程序说明.............................................................................................................................................384.7.3退出写均衡模
式.............................................................................................................................................394.8温控刷新模
式......................................................................................................................................394.8.1常温模式(0°C=<TCASE=<
85°C)......................................................................................394.8.2扩展温度模式(0°C=<TCASE=<95°C).......................................................................394.9细粒度
刷新模式...............................................................................................................404.9.1模式寄存器和命令真值
表.............................................................................................................................404.9.2tREFI和tRFC参
数.............................................................................................................................................404.9.3更改刷新
率.......................................................................................................................................414.9.4与温控刷新模式一起使
用..............................................................................................................424.9.5自刷新进入和退
出................................................................................................................................................434.10多功能寄存
器......................................................................................................................................................434.10.1DQ培训
MPR.......................................................................................................................................434.10.2MR3定
义.............................................................................................................................................................434.10.3MPR读
取.............................................................................................................................................444.10.4MPR写
入..............................................................................................................................................................464.10.5MPR读取数据格
式.....................................................................................................................................494.11数据掩码(DM)、数据总线反转(DBI)和
TDQS.......................................................................................................54
‑我
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