vDMOS

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: 功率VDMOS器件的参数漂移与失效机理.pdf 功率VDMOS器件的参数漂移与失效机理pdf,功率VDMOS 器件的工作条件通常恶劣，因此其可靠性研究格外重要。本文总结了目前众多VDMOS 器件可靠性研究的结果，着重讨论了功率VDMOS 在高温大电压的工作环境下，关键电学...
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: 模拟技术中的一种200V/100A VDMOS 器件开发摘　要：分析了功率MOSFET 最大额定电流与导通电阻的关系，讨论了平面型中压大电流VDMOS器件设计中导通电阻、面积和开关损耗的折衷考虑，提出了圆弧形沟道布局以增大沟道宽度，以及栅氧下部分非沟道区域采用局域氧化...
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: 功率VDMOS器件的新型SPICE模型 (2013年) 为解决垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS器件)模型精确度差的问题,建立了一套新的VDMOS模型。与其他模型相比,该模型在VDMOS器件源极、漏极、栅极3个外部节点的基础上,又增加了4个内部节点,从而将VDMOS器件视为1个N...
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: 元器件应用中的一种减少VDMOS寄生电容的新结构 VDMOS的开关速度是在高频应用时的一个重要的参数，因此提出一种减小寄生电容的新型VDMOS结构。　1 基本原理　功率VDMOS的开关特性是由其本征电容和寄生电容来决定的。VDMOS的电容主要由三个部分栅源电容Cgs栅漏...
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: 总剂量辐照加固的功率VDMOS器件 (2008年) 采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si 3 N 4 -SiO 2 钝化层加固工艺, 研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件。给出了该器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据, 通过和二维数值仿真...
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: 一种P沟VDMOS器件的研究与实现 (2013年) 分析了P沟VDMOS器件结构中外延层参数与击穿电压、导通电阻之间的关系.采用Silvaeo对该器件的元胞结构、物理参数和电学性能进行了模拟和优化，并设计了针对该器件的终端结构，完全依靠国内生产线流程成功开发出了P沟...
评级：0 浏览量：90 收藏量：0 资源大小：441KB 上传时间：2021-05-19

: 一种减少VDMOS寄生电容的新结构 VDMOS与双极晶体管相比，它的开关速度快，开关损耗小，输入电阻高，驱动电流小，频率特性好，跨导高度线性等优点。特别值得指出的是，它具有负温度系数，没有双极功率管的二次击穿问题，安全工作区大。
评级：0 浏览量：73 收藏量：0 资源大小：181KB 上传时间：2020-10-25

: 基于Arrhenius模型快速评价功率VDMOS可靠性本文采用恒定温度应力加速寿命试验对功率VDMOS的可靠性进行了研究，得到较为完整的可靠性数据，并分析得到引起其漏源电流IDS退化的主要失效机理是栅极击穿，从而为功率VDMOS类型器件的加工制造及应用等方面提供有...
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: VDMOS器件的1/f噪声检测方法研究 VDMOS器件的1/f噪声检测方法研究
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: 利用Tsuprem4和Medici对200伏VDMOS进行虚拟制造 (2006年) 通过将已知工艺参数与工艺模拟软件Tsuprem4结合起来，将模拟结果直接导入器件模拟软件Medici，对击穿电压及阈值电压，终端保护环进行了模拟计算，获得了具体的设计参数，并对利用这两个软件进行虚拟制造的过程中需要...
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: 功率VDMOS器件中纵向电场的研究本课题的研究目的旨在从改变功率VDMOS的结构参数入手得到外延层厚度和栅源电压对功率VDMOS纵向电场的影响，并且在结构参数变化的范围内分析出最大电场位置的变化，为优化器件的性能起到指导作用。通过二维仿真工具...
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: VDMOS器件微观结构研究 (2007年) 随着 VDMOS器件的广泛应用及其制作工艺的发展进步,对提高 VDMOS器件性能的研究也日益受到重视。通过利用扫描电子显微镜( SEM)技术,对 VDMOS器件的纵向结构元素分布及其在硅腐蚀液腐蚀前后的微观结构变化进行了研究...
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: VDMOS场效应晶体管的研究与进展 (2006年) 介绍了新一代电力电子器件VDMOS的发展概况及工作原理，分析了其技术特点与优势，重点阐述了近年来国际上 VDMOS在高压大电流及低压大电流方面所取得的理论及技术突破，通过不断改进的沟槽技术以及封装工艺提高了器件...
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: 电源技术中的VDMOS器件损伤的DC／DC转换器辐射预兆单元设计航天用DC／DC转换器工作在太空辐射环境下，辐射损伤是其主要失效机理。DC／DC转换器的可靠性关系到整个航天器的可靠性，国内外广泛研究了DC／DC转换器辐射损伤失效机理、失效模式和抗辐射筛选与加固措施。...
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: VDMOSFET参数优化设计软件编制 (2004年) 简要介绍了VDMOSFET的基本结构，并给出了器件的物理模型。从探索优化VDMOSFET电学参数的角度出发，利用Visual C++语言，编制了VDMOSFET参数优化设计软件，最后，给出了该软件的运行结果及实例讨论。...
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