VDMOS与双极晶体管相比,它的开关速度快,开关损耗小,输入电阻高,驱动电流小,频率特性好,跨导高度线性等优点。特别值得指出的是,它具有负温度系数,没有双极功率管的二次击穿问题,安全工作区大。
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