总剂量辐照加固的功率VDMOS器件 (2008年)

采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si 3 N 4 -SiO 2 钝化层加固工艺, 研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件。给出了该器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据, 通过和二维数值仿真比较, 表明实验数据和仿真数据能较好吻合。对研制的功率VDMOS器件在X射线模拟源辐照总剂量972×10 3 rad(Si)下, 阈值电压仅漂移?1 V。结果证明, 工艺改善了功率VDMOS器件的抗总剂量辐照能力。关 键 词