NAND闪存

NAND闪存技术深入解析 对于许多消费类音视频产品而言，ＮＡＮＤ闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过４ＧＢ的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，ＮＡＮＤ正被证明极具吸引力...

评级：0 浏览量：299 收藏量：1 资源大小：306KB 上传时间：2020-11-18

NAND闪存深入解析 对于许多消费类音视频产品而言，NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND正被证明极具吸引力。 NAND...

评级：0 浏览量：158 收藏量：0 资源大小：109KB 上传时间：2020-12-10

采用Magma Finesim的NAND闪存仿真战略 NAND闪存是一种高密度非易失性存储器，基于电压调制原理而操作。随着技术开发和工艺改进，MLC NAND(2 bit/cell NAND)的架构正变得日益复杂化。今天，单个8Gb密度SLC NAND闪存芯片的MOSFET数量就超过70万，这还未包括...

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三星演示世界首款50nm 16GB NAND闪存 今日，三星公司对外宣布，他已经成功制造出世界上首款基于50nm工艺的16GB NAND闪存设备。该多层核心（MLC）的设计采用了一个4KB的页值，而非竞争产品中所采用的2KB。正因为此，新型设备的读速度比以2KB设计方式的...

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ST推出首个采用90纳米工艺的128Mb NAND闪存 闪存芯片供应商意法半导体(ST)日前宣布128兆位NAND闪存芯片NAND128W3A2BN6E的生产转向90纳米制造工艺，这一举措有助于降低在对成本要求很高的消费设备中广泛使用的存储芯片的成本和功耗，这些设备包括数码相机、语音...

评级：0 浏览量：104 收藏量：0 资源大小：64KB 上传时间：2020-11-29

ST推出256M NAND闪存 ST近日宣布已大批量生产256M" Small Page" NAND闪存VFBGA55版芯片，采用8x10mmBGA封装形式，适用于便携式设备，如照相手机、智能手机、低成本数码相机、PDA和USB相机存储棒，以及其他空间受限产品。 这种厚度为1mm的...

评级：0 浏览量：110 收藏量：0 资源大小：54KB 上传时间：2020-12-09

ST 128兆位 NAND 闪存芯片 意法半导体（STMicro）今天宣布128兆位NAND闪存芯片NAND128W3A2BN6E的生产转向90纳米制造工艺，这一举措有助于降低在对成本要求很高的消费设备中广泛使用的存储芯片的成本和功耗，这些设备包括数码相机、语音笔、PDA...

评级：0 浏览量：151 收藏量：0 资源大小：63KB 上传时间：2020-12-10

一种基于逻辑页平均更新频率的NAND闪存垃圾回收算法 针对NAND闪存的特点，提出一种基于逻辑页平均更新频率的NAND闪存垃圾回收算法。该算法采用无效页年龄和作为回收块选择策略。同时，在FaGC和GCbAH算法基础之上，重新定义数据热度计算公式，采用逻辑页平均更新频率...

评级：0 浏览量：144 收藏量：0 资源大小：444KB 上传时间：2020-10-15

东芝 推出嵌入式NAND闪存 (Toshiba America Electronic Components, Inc.) 联合宣布，该公司已经推广了一种新型嵌入式 NAND 闪存系列产品，这一系列产品遵从了 eMMC 标准并且容量达到该行业之最。这种容量 16GB 的新设备旨在应用...

评级：0 浏览量：137 收藏量：0 资源大小：41KB 上传时间：2020-12-05

NAND闪存存储系统的实时闪存转换层 NAND闪存存储系统的实时闪存转换层

评级：0 浏览量：72 收藏量：0 资源大小：960KB 上传时间：2021-02-25

日美公司开发出高密度NAND闪存 日本东芝公司和美国SanDisk公司日前宣布合作开发出高密度NAND闪存，并计划分别于年内开始批量生产相关产品。 　两家公司7日发布的新闻公报说，它们已利用43纳米工艺开发出新型16吉比特NAND闪存，其密度与利用56...

评级：0 浏览量：69 收藏量：0 资源大小：30KB 上传时间：2020-11-24

晶界界面陷阱对3D NAND闪存中顶部选择栅晶体管电学特性的影响 晶界界面陷阱对3D NAND闪存中顶部选择栅晶体管电学特性的影响

评级：0 浏览量：113 收藏量：0 资源大小：1.13MB 上传时间：2021-03-21

三星65nm 4Gb NAND闪存剖析 在NAND闪存和DRAM这两个最重要的半导体存储器件市场，三星已稳坐头把交椅，分别占有52.9%和32.1%的份额，相应地是第二名的两倍多和接近两倍。即便如此，该公司也并未被外界看到有丝毫懈怠。三星继续积极采用更先进的...

评级：0 浏览量：108 收藏量：0 资源大小：99KB 上传时间：2020-12-10

论文研究-一种低成本NAND闪存卡测试机的研究 .pdf 一种低成本NAND闪存卡测试机的研究，邱清武，郭筝，测试成本是芯片制造成本的重要部分。ATE(Automatic Test Equipment,自动测试设备)的成本是测试成本的重要部分。芯片制造商一直在寻求低成本

评级：0 浏览量：113 收藏量：0 资源大小：1.17MB 上传时间：2019-08-17

东芝推出手机用大容量NAND闪存新产品 东芝公司日前宣布已经成功开发出用于手机的大容量NAND闪存新系列产品mobileLBA-NAND，可以在同一芯片中任意设定存放程序的双值区域（SLC）和保存数据用多值区域（MLC）。从8月份开始出货。   　新产品是一种内置...

评级：0 浏览量：79 收藏量：0 资源大小：64KB 上传时间：2020-12-02

意法发布70nm工艺NAND闪存进入NAND闪存技术的先进行列 意法半导体日前宣布，该公司采用70nm制造工艺的NAND闪存产品已全线上市。512-Mbit(小页)和1/2/4/8-Gbit(大页)闪存升级到ST的70nm制造工艺，使该系列产品进入NAND闪存技术的先进行列，升级后的产品价格低廉，功耗更小...

评级：0 浏览量：67 收藏量：0 资源大小：117KB 上传时间：2020-11-29

对基于NAND闪存的设备使用闪存级并行性进行清洗操作 对基于NAND闪存的设备使用闪存级并行性进行清洗操作

评级：0 浏览量：34 收藏量：0 资源大小：470KB 上传时间：2021-03-19

Toshiba推出业界最大嵌入式NAND闪存存储器模块 Toshiba近日推出128吉比特(GB)嵌入式NAND闪存存储器模块，是业界最高容量。该模块与最新e-MMC?;3标准完全兼容，设计应用于包括智能手机、平板PC和视频数码相机在内的各种数字电子消费产品。样品供货将在9月份，批量...

评级：0 浏览量：83 收藏量：0 资源大小：36KB 上传时间：2020-11-06

东芝大容量NAND闪存可用于固态硬盘产品 东芝(Toshiba)宣布即将推出搭载首个对应多值技术的大容量NAND闪存(多值NAND)的128Gb的SSD(Solid State Drive：固态硬盘)产品，主要用于计算机。计划2008年第一季度出货，并同时开始量产。在此之前，东芝将于明年1月7...

评级：0 浏览量：162 收藏量：0 资源大小：45KB 上传时间：2020-11-27

解密16Gb MLC NAND闪存表象下的技术细节 通过整合Intel公司的NOR多层单元(MLC)闪存技术与美光的DRAM和NAND闪存的制造效率和创新性，并且在两个母公司强大的IP库支持下，IMFT在同一年推出的第一个产品就让市场深受震动。 　IMFT使用的先进工艺可以显著地...

评级：0 浏览量：91 收藏量：0 资源大小：163KB 上传时间：2020-11-12

三星开发出30纳米NAND闪存芯片 09年量产 　三星公布了采用30纳米工艺的64G位NAND闪存芯片。三星在一份声明中说，这种闪存芯片是提高闪存芯片存储密谋计划中的一大进步。 　三星称这款芯片是这类芯片中的第一款，也标志着闪存芯片的存储密度已经是连续8年...

评级：0 浏览量：93 收藏量：0 资源大小：29KB 上传时间：2020-11-26

基于NAND闪存的自适应闪存映射层设计 　闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型，其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的闪存芯片。一个NAND类型的闪存芯片的存储空间是由块(Block)构成，每个块又划分为固定大小的页，块是...

评级：0 浏览量：67 收藏量：0 资源大小：214KB 上传时间：2020-11-07

Cypress新款控制器具备多层单元NAND闪存支持能力 赛普拉斯半导体(Cypress)推出了一款具备多层单元(MLC) NAND闪存支持能力的新型West Bridge外设控制器，可为设计者采用成本最低、密度最高的闪存存储器提供支持。这款West Bridge Astoria控制器最高支持16个MLC NAND...

评级：0 浏览量：80 收藏量：0 资源大小：56KB 上传时间：2020-11-27

为嵌入式应用选择、实现NAND闪存海量存储 　NAND闪存已经成为消费类应用中用作海量存储的主要选择，因为它相比NOR闪存而言具有单位比特成本更低、存储密度更高的优势，并且具有比硬盘更小的尺寸、更低的功耗以及更可靠的优势。 　因为NAND闪存在消费市场...

评级：0 浏览量：49 收藏量：0 资源大小：125KB 上传时间：2020-11-18

元器件应用中的SST推出支持NAND闪存的控制器 SST日前推出CompactFlash NAND闪存控制器SST55LC100，可用于诸如智能手机采用NAND闪存的海量数据存储产品。  该闪存控制器采用SuperFlash技术，支持最新的NAND闪存，嵌入闪存中可记录固件的变化。传统掩膜控制器...

评级：0 浏览量：66 收藏量：0 资源大小：37KB 上传时间：2020-12-02

恒忆与海力士合作推广创新的NAND闪存技术 恒忆（Numonyx）宣布与海力士半导体公司达成为期五年的协议，在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来五年面临的挑战，两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品，进行技术创新。 　根据...

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TDK发布GBDriver RS1系列NAND闪存控制器LSI电路 TDK公司发布GBDriver RS1系列NAND闪存控制器LSI电路。新的GBDriver RS1兼容1.5 Gbps SATA I，并且在当作NAND闪存控制器IC使用时，可以控制最新的4 K字节/页的SLC（单级单元）和MLC（多级单元）NAND闪存。 　NAND...

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模拟技术中的英特尔联合美光研发高速NAND闪存技术 据国外媒体报道，英特尔和美光科技于近日公布了一项高速的NAND闪存技术，传输速度是现有NAND闪存的5倍之多。 　这项高速NAND闪存技术是由英特尔和美光共同开发而成，该技术符合最新的接口规范定义，即所谓的开放式...

评级：0 浏览量：115 收藏量：0 资源大小：66KB 上传时间：2020-11-24

QuickLogic存储解决方案产品线增加NAND闪存控制器 QuickLogic宣布为其超低功耗PolarPro 和Eclipse II可编程逻辑系列推出功能齐全的NAND闪存控制器解决方案。基于客户的需求，QuickLogic NAND闪存控制器解决方案专为用于便携式应用的各种应用处理器而设计，例如Marvel...

评级：0 浏览量：103 收藏量：0 资源大小：51KB 上传时间：2020-12-03

东芝推出首个对应多值技术的大容量NAND闪存 东芝今天宣布即将推出搭载世界上首个对应多值技术的大容量NAND闪存(多值NAND)的行业内最大级别128Gb的SSD(Solid State Drive：固态硬盘)产品，主要用于计算机。计划2008年第一季度出货，并同时开始量产。在此之前，...

评级：0 浏览量：115 收藏量：0 资源大小：46KB 上传时间：2020-11-26

ＭＬＣ型 ＮＡＮＤ闪存中 Ｐｏｌａｒ码的优化设计-论文 ＭＬＣ型 ＮＡＮＤ闪存中 Ｐｏｌａｒ码的优化设计

评级：0 浏览量：46 收藏量：0 资源大小：1.17MB 上传时间：2021-05-22

优化NAND闪存存储系统中的确定性垃圾回收 NAND闪存已被广泛用作存储实时嵌入式系统中的设备。 但是，垃圾回收需要回收空间并耗费大量时间高架。 由于最差的系统延迟是由NAND闪存中垃圾回收的最坏情况执行时间， 重要的是要优化垃圾收集，以便提供确定性最差...

评级：0 浏览量：101 收藏量：0 资源大小：338KB 上传时间：2021-03-12

ST 90nm小页面NAND闪存提供较低成本存储方案 意法半导体(ST)宣布，该公司采用90nm制造工艺的小页面NAND闪存系列产品全线上市。ST的128、256和512兆位闪存产品已向90nm先进制造工艺的成功转型，同时还为数码相机、PDA、GPS导航系统、低密度闪存卡、U盘、打印机、...

评级：0 浏览量：68 收藏量：0 资源大小：60KB 上传时间：2020-12-02

意法半导体推出采用90nm 制造工艺的128-Mbit NAND 闪存 闪存芯片供应商意法半导体近日采用90nm制造工艺的128Mbit NAND闪存NAND128W3A2BN6E。 　NAND128W3A2BN6E 是一个采用TSOP封装的3V产品，以消费电子产品为目标应用。另两款产品256Mbit和512Mbit的NAND闪存（均有3V 和...

评级：0 浏览量：143 收藏量：0 资源大小：57KB 上传时间：2020-12-01

ST率先采用90nm工艺技术生产的128Mb NAND闪存 意法半导体公司(ST)推出采用90nm工艺技术的128Mb NAND闪存器件――NAND128W3A2BN6E。90nm技术降低了闪存芯片的成本和功耗。这些闪存广泛应用于如数码相机、录音机、PDA、机顶盒(STB)、打印机和各种闪存卡等消费类...

评级：0 浏览量：119 收藏量：0 资源大小：63KB 上传时间：2020-11-29

自修复NAND闪存的散热 自修复NAND闪存的散热

评级：0 浏览量：27 收藏量：0 资源大小：1.41MB 上传时间：2021-03-06

东芝推出业界最高容量（64GB）的嵌入式NAND闪存模块 东芝近日宣布推出64GB嵌入式NAND闪存模块，该容量是目前业内的最高容量。64GB模块是一系列6款新型嵌入式NAND闪存模块的旗舰产品。该系列产品完全符合最新的 e·MMCTM 标准，可用于各种数字消费产品，包括智能电话、...

评级：0 浏览量：108 收藏量：0 资源大小：134KB 上传时间：2020-11-09

模拟技术中的东芝16GB嵌入式NAND闪存芯片符合eMMC标准 东芝公司(Toshiba Corp.)近日与其美洲子公司东芝美国电子元件公司(Toshiba America Electronic Components, Inc.)联合宣布，该公司已经推广了一种新型嵌入式NAND闪存系列产品，这一系列产品遵从了eMMC标准并且容量...

评级：0 浏览量：204 收藏量：0 资源大小：47KB 上传时间：2020-11-27

美光推出行业密度最高的块抽象化NAND闪存产品系列 美光科技股份有限公司日前公布其高密度系列的块抽象化(BA) NAND闪存，可用于个人媒体播放机和其他应用中。BA NAND是个单封装解决方案，使用美光业内领先的34纳米工艺技术 - 将MLC NAND与一个内存控制器相结合，无需...

评级：0 浏览量：107 收藏量：0 资源大小：61KB 上传时间：2020-11-09

东芝推出面向便携式产品的业内最高容量的嵌入式NAND闪存 东芝今天宣布公司已经研制出一种全新的嵌入式NAND闪存系列，以eMMCTM＊1为标准，达到业内最大容量。这种16GB新产品用于手机及数码摄像机等便携式产品。东芝计划从今年第二季度开始出厂样品，从第四季度开始量产。在...

评级：0 浏览量：82 收藏量：0 资源大小：61KB 上传时间：2020-12-06

美光科技发布捆绑NAND闪存的1Gb移动DRAM内存芯片 美光科技将把新的1Gb移动DRAM内存芯片和1、2、4Gb NAND闪存芯片捆绑在一起，构成强大的内存组合。这种捆绑的移动DRAM和NAND封装通常被称为多芯片封装(MCP)，能够为移动电话节省更多的空间，因而可以加入更多的功能或...

评级：0 浏览量：204 收藏量：0 资源大小：54KB 上传时间：2020-12-03

意法半导体（ST）完成NAND闪存产品70nm技术升级 意法半导体（ST）宣布公司采用70nm 制造工艺的NAND闪存产品全线上市。512Mb (小页)和1/2/4/8Gb (大页)闪存升级到ST的先进的70nm制造工艺，使该系列产品进入NAND闪存技术的最先进行列，升级后的产品价格低廉，功耗更...

评级：0 浏览量：106 收藏量：0 资源大小：57KB 上传时间：2020-11-24

东芝推出行业内最大容量＊1的嵌入式NAND闪存 东芝宣布推出多款最大容量为32GB的嵌入式NAND闪存模块，并宣布这些产品完全符合e-MMC＊2和eSD＊3标准。这些嵌入式产品用于移动数码消费产品，包括手机和数码相机。样品将于2008年9月出厂，从第四季度开始量产。 　...

评级：0 浏览量：73 收藏量：0 资源大小：46KB 上传时间：2020-11-18

工业电子中的QuickLogic推出全功能NAND闪存控制器解决方案 QuickLogic公司宣布，为其超低功耗PolarPro和EclipseII可编程逻辑系列推出功能齐全的NAND闪存控制器解决方案。基于客户的需求，QuickLogic NAND闪存控制器解决方案专为用于便携式应用的各种应用处理器而设计，例如...

评级：0 浏览量：65 收藏量：0 资源大小：50KB 上传时间：2020-12-08

工业电子中的IntellaSys推出产业界第一个USB2.0NAND闪存控制器 IntellaSys公司今日宣布推出新的OnSpecxSil269存储器控制器芯片，这是产业界第一个这样的USB 2.0 NAND闪存控制器，它实现了128位硬件加密安全保护。装在xSil269芯片上的硬件加密/解密功能与两级软件密码真伪鉴别...

评级：0 浏览量：82 收藏量：0 资源大小：57KB 上传时间：2020-11-27

论文研究-基于SONOS工艺NAND闪存单元读取串扰的改善方法 .pdf 基于SONOS工艺NAND闪存单元读取串扰的改善方法，陈广龙，姚邵康，通过研究和分析基于SONOS工艺的NOR型嵌入式闪存和NAND闪存的

评级：0 浏览量：144 收藏量：0 资源大小：753KB 上传时间：2019-08-14

嵌入式系统/ARM技术中的东芝将投产配备32nm工艺NAND闪存的SSD 东芝发布了配备基于32nm级半导体工艺多值（MLC）NAND闪存的SSD（固态硬盘）。存储容量分别为30GB和62GB。与原来的2.5英寸 SSD相比，除了体积缩小至1/7左右、重量减少至1/8左右之外，耗电量也削减了约1/2。预定2009年...

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NAND闪存芯片封装技术综述.pdf NAND闪存芯片封装技术综述.pdf

评级：0 浏览量：175 收藏量：0 资源大小：940KB 上传时间：2021-07-26

存储/缓存技术中的三星48层3D V-NAND闪存技术揭秘 三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存，分别有24层、32层，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固态硬盘产品，2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘（SSD）中的48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的...

评级：0 浏览量：221 收藏量：0 资源大小：587KB 上传时间：2020-10-16