制造工艺的128-Mbit

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制造工艺的128-Mbit

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评级：0 浏览量：142 收藏量：0 资源大小：57KB 上传时间：2020-12-01

: ST推出新的汽车级32-Mbit NOR闪存到2007年第二季度，该系列还将增加一个64-Mbit的NOR闪存IC，到2007年底，还将增加一个128-Mbit的NOR闪存。　采用ST的的0.11µm闪存制造工艺，M29W320可以在2.7V到3.6V的电压范围内读取、编程和擦除。异步随机存取...
评级：0 浏览量：47 收藏量：0 资源大小：51KB 上传时间：2021-01-19

: ST推出新的汽车级32-Mbit NOR闪存M29W320 到2007年第二季度，该系列还将增加一个64-Mbit的NOR闪存IC，到2007年底，还将增加一个128-Mbit的NOR闪存。　采用ST的的0.11?m闪存制造工艺，M29W320可以在2.7V到3.6V的电压范围内读取、编程和擦除。异步随机存取...
评级：0 浏览量：42 收藏量：0 资源大小：36KB 上传时间：2021-01-19

: 汽车电子中的ST推出新的汽车级32-Mbit NOR闪存到2007年第二季度，该系列还将增加一个64-Mbit的NOR闪存IC，到2007年底，还将增加一个128-Mbit的NOR闪存。　采用ST的最先进的0.11µm闪存制造工艺，M29W320可以在2.7V到3.6V的电压范围内读取、编程和擦除。异步...
评级：0 浏览量：99 收藏量：0 资源大小：52KB 上传时间：2020-11-30

: 汽车电子中的ST推出新的汽车级32-Mbit NOR闪存M29W320 到2007年第二季度，该系列还将增加一个64-Mbit的NOR闪存IC，到2007年底，还将增加一个128-Mbit的NOR闪存。　采用ST的最先进的0.11?m闪存制造工艺，M29W320可以在2.7V到3.6V的电压范围内读取、编程和擦除。异步...
评级：0 浏览量：56 收藏量：0 资源大小：37KB 上传时间：2020-11-30

: ST推出市场上裸片最小的1-Gbit和512-Mbit 65nm多电平单元NOR闪存世界领先的手机闪存解决方案供应商意法半导体近日推出了一个采用65nm制造工艺的PR系列NOR闪存产品。基于第四代多电平单元(MLC)技术，65nm PR系列闪存的软硬件兼容现有的90nm PR系列NOR闪存，为客户升级现有系统...
评级：0 浏览量：230 收藏量：0 资源大小：54KB 上传时间：2020-11-27

: ST推出首个采用90纳米工艺的128Mb NAND闪存 ST的NAND128据称是当今市场上仅有的一个采用90nm制造工艺的128-Mbit NAND闪存。新产品证明了ST继续开发低密度“小页”NAND闪存产品的承诺，以支持正在使用目前已量产的该系列产品的用户。NAND128W3A2BN6E是一个...
评级：0 浏览量：104 收藏量：0 资源大小：64KB 上传时间：2020-11-29

: ST 128兆位 NAND 闪存芯片 ST的NAND128是当今市场上仅有的一个采用90nm 制造工艺的128-Mbit NAND 闪存。新产品证明了ST继续开发低密度“小页”NAND闪存产品的承诺，以支持正在使用目前已量产的该系列产品的用户。NAND128W3A2BN6E 是一个采用...
评级：0 浏览量：151 收藏量：0 资源大小：63KB 上传时间：2020-12-10

: 10bit 高速SAR ADC基于0.18um工艺的电路，拿去直接可以仿真性能，有效位ENOB9.6bit，SFDR为63.7d 10bit 高速SAR ADC基于0.18um工艺的电路，拿去直接可以仿真性能，有效位ENOB9.6bit，SFDR为63.7dB，逐次逼近型模数转换器基于virtuoso。
评级：0 浏览量：142 收藏量：3 资源大小：159KB 上传时间：2023-05-23

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评级：0 浏览量：131 收藏量：0 资源大小：57KB 上传时间：2020-12-09

: 意法发布70nm工艺NAND闪存进入NAND闪存技术的先进行列 512-Mbit(小页)和1/2/4/8-Gbit(大页)闪存升级到ST的70nm制造工艺，使该系列产品进入NAND闪存技术的先进行列，升级后的产品价格低廉，功耗更小。高密度的存储器芯片为各种计算机和消费电子应用产品提供海量数据存储...
评级：0 浏览量：67 收藏量：0 资源大小：117KB 上传时间：2020-11-29

: 网络通信与便携式应用驱动SRAM技术数据通信和便携式系统成为当今SRAM的...以赛普拉斯为例，目前已可提供采用90nm制造工艺的72Mbit密度的标准同步/NoBL SRAM器件样品。　不断缩小的工艺几何尺寸使得各家公司能够在存储器技术上确立诸多优势，如实现更快的
评级：0 浏览量：59 收藏量：0 资源大小：160KB 上传时间：2020-12-08

: 单片机与DSP中的瑞萨开发出可克服门限值变化影响的稳定性技术瑞萨宣布开发出一种有助于采用65nm（65纳米）制造工艺生产的SRAM（静态随机存取存储器）实现稳定运行的技术。新技术采用了一种直接图形成型布局和读辅助及写辅助电路，以克服采用精细特征工艺技术时由于晶体管固有...
评级：0 浏览量：118 收藏量：0 资源大小：54KB 上传时间：2020-12-08

: 嵌入式系统/ARM技术中的瑞萨开发新技术，65nm嵌入式SRAM稳定运行瑞萨科技(Renesas)公司日前宣布开发出一种有助于采用65nm制造工艺生产的SRAM(静态随机存取存储器)实现稳定运行的技术。新技术采用了一种直接图形成型布局和读辅助及写辅助电路，以克服采用精细特征工艺技术时由于...
评级：0 浏览量：75 收藏量：0 资源大小：55KB 上传时间：2020-11-30

: 大学文献检索资料 DOC CH （化工） A 、B 、C 、D 、E 、F G 、H 、J 、K 、L 、M 德温特专利文献检索工具的符号体系及名词解释：专利权人代码后的“-”号，表示小公司。“/”号，表示个人。 “=”号，表示俄罗斯（或前苏联）的机构。...
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