日美公司开发出高密度NAND闪存

日本东芝公司和美国SanDisk公司日前宣布合作开发出高密度NAND闪存，并计划分别于年内开始批量生产相关产品。 　　两家公司7日发布的新闻公报说，它们已利用43纳米工艺开发出新型16吉比特NAND闪

ST 128兆位 NAND 闪存芯片

意法半导体（STMicro）今天宣布128兆位NAND闪存芯片NAND128W3A2BN6E的生产转向90纳米制造工艺，这一举措有助于降低在对成本要求很高的消费设备中广泛使用的存储芯片的成本和功耗，这

三星电子推出更高性能20纳米级NAND闪存存储器

近日，三星电子(SAMSUNG)有限公司宣布推出业界首个20纳米级(nm)NAND芯片，用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32Gb MLC NAND产品采用尖端技术，扩展三星电子公司

ST推出首个采用90纳米工艺的128Mb NAND闪存

闪存芯片供应商意法半导体(ST)日前宣布128兆位NAND闪存芯片NAND128W3A2BN6E的生产转向90纳米制造工艺，这一举措有助于降低在对成本要求很高的消费设备中广泛使用的存储芯片的成本和功耗

三星用30nm工艺研制全球首个64G闪存芯片

北京时间10月23日硅谷动力网站从国外媒体处获悉：全球闪存巨头韩国三星电子公司周二宣布，已经利用三十纳米半导体工艺制造出了64GB闪存芯片。这是全球第一块64GB的NAND闪存芯片。     三星电子

模拟技术中的东芝16GB嵌入式NAND闪存芯片符合eMMC标准

东芝公司(Toshiba Corp.)近日与其美洲子公司东芝美国电子元件公司(Toshiba America Electronic Components, Inc.)联合宣布，该公司已经推广了一种新型

存储/缓存技术中的东芝推出新型嵌入式19纳米工艺制造的NAND闪存模块

导读：日前，东芝公司（简称“Toshiba”）宣布推出新型嵌入式19纳米工艺制造的NAND闪存模块，该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片，符合最新的e·MMC标准。 　　据报道，东

Micron推出新型34纳米高密度NAND产品降低芯片尺寸

美光科技有限公司（宣布使用其屡获殊荣的34纳米工艺技术大规模生产新型NAND闪存产品。随着消费者需要更高的容量以便在越来越小的便携式电子设备中存储更多的音乐、视频、照片及应用程序，制造商需要一种存储解

SAMSUNG推出首个30nm级64Gb NAND Flash

三星电子有限公司（Samsung Electronics Co., Ltd）日前宣布，已经开发出世界上第一个使用30nm级的处理技术的64Gb多级单元（MLC）NAND闪存芯片。由于计算和数字应用中闪

东芝 推出嵌入式NAND闪存

(Toshiba America Electronic Components, Inc.) 联合宣布，该公司已经推广了一种新型嵌入式 NAND 闪存系列产品，这一系列产品遵从了 eMMC 标准并且容量

意法半导体推出采用90nm 制造工艺的128-Mbit NAND 闪存

闪存芯片供应商意法半导体近日采用90nm制造工艺的128Mbit NAND闪存NAND128W3A2BN6E。 　　NAND128W3A2BN6E 是一个采用TSOP封装的3V产品，以消费电子产品为目

美光推出行业密度最高的块抽象化NAND闪存产品系列

美光科技股份有限公司日前公布其高密度系列的块抽象化(BA) NAND闪存，可用于个人媒体播放机和其他应用中。BA NAND是个单封装解决方案，使用美光业内领先的34纳米工艺技术 - 将MLC NAND

三星开发出全球首款65纳米数字电视接收芯片

韩国三星电子表示，公司已经开发出全球范围首款基于65纳米技术的数字电视接收芯片。     　　据韩联社报道，该芯片的能耗只是目前流行产品的一半，然而却可以有效的接收数字电视信号，据悉未来其将被应用于韩

尔必达宣布量产70纳米制程DRAM芯片

据路透（Reuters）与BusinessWire报导，日本内存大厂尔必达（Elpida）正式宣布量产70纳米制程的DRAM，其中包括1Gb与512Mb容量的DDRII内存芯片。尔必达预估，2007年

美光推出NAND与低功率DRAM多芯片封装产品

美光科技股份有限公司日前宣布，该公司将业界一流的34纳米4Gb单层单元NAND闪存与50纳米2Gb LPDDR相结合，生产出了市场上最先进的NAND-LPDDR多芯片封装组合产品。美光新推出的4Gb

中国第一颗55纳米智能卡芯片问世

中芯国际集成电路制造有限公司与北京中电华大电子设计有限责任公司（“华大电子”）共同宣布，华大电子推出中国第一颗55纳米智能卡芯片，该芯片采用中芯国际55纳米低功耗（LL）嵌入式闪存（eFlash）平台

matlab开发-纳米硅金属丰度

matlab开发-纳米硅金属丰度。输出符合给定直径/范围和金属丰度的碳纳米管手性指数

英特尔 带英特尔3100芯片组开发包的英特尔奔腾M处理器（90纳米）产品简介.pdf

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matlab开发-碳纳米管介质和金属浓度计算器

matlab开发-碳纳米管介质和金属浓度计算器。根据手性指数计算碳纳米管的直径和金属丰度

英特尔 带英特尔E7520芯片组开发工具包的英特尔奔腾M处理器（90纳米）产品简介.pdf

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三星完成20纳米Mobile DRAM量产　2015年迈向10奈米级时代

三星电子（Samsung Electronics）在稍早正式量产20奈米Mobile DRAM,将有望帮助三星提高生产力以及成本竞争力。尤其在竞争对手们仍停留在20奈米中段制程的情况下，随着三星在20

论文研究-58纳米闪存产品后段缺陷降低研究 .pdf

58纳米闪存产品后段缺陷降低研究，郭贤权，黄其煜，闪存产品拥有高可靠性，高速擦写，低成本等优势，可广泛运用于通信，医疗，汽车和家电等领域。本产品因其工艺需要，其后段铜线最

纳米技术在诊断中的应用

当今世界的快速发展给医疗保健领域带来了一些挑战。 抑郁，高血压，糖尿病，癌症和几种传染病只是与高速充满压力的生活方式相关的一些常见结果。 早期诊断一直是Swift逮捕和管理这些健康状况的目标。 最近这

关于纳米技术的应用论文

摘 要 纳米技术是在纳米尺度上研究物质的特性，通过组建和利用纳米材料来实现特有功能和智能作用的高科技先进技术。介绍了纳米技术在生物医药中的应用现状和前景，并分析了纳米技术在生物医药领域应用中的纳米材料

zynq7000芯片资料介绍

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海思芯片 Hi3559芯片详细手册

海思HI3559芯片数据手册,章节很详细，方便用户查阅，官网不能下载，这是其它渠道得到的

用于系统级芯片的纳米晶非易失性存储器

本文将介绍用于系统级芯片的纳米晶非易失性存储器

日本开发出新型纳米开关

日本物质材料研究机构的研究人员新开发出一种纳米开关，利用原子受电压控制后产生的排列形状变化达到开关电流的目的。这一成果发表在新一期的《自然》杂志上。　　研究人员在实验中首先将硫化银电极和白金电极之间的

增强了金纳米颗粒悬浮液掺杂的二氧化钛纳米管层的光活性。

在本工作中，我们报告了合成的金纳米颗粒悬浮液的行为，该悬浮液掺入二氧化钛纳米管层（TiO2-NT）中，并在0.4 wt％的氢氟酸溶液中通过电化学阳极氧化制备，我们研究了其光催化响应。 金纳米颗粒使用透

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摩擦纳米发电基的原理、摩擦纳米发电机技术、摩擦纳米发电机前沿、摩擦纳米发电机的制造与性能、一些相关技术、以及文献索引