InAs量子

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InAs量子

: 从单个InAs量子点在1552 nm处对单个光子的量子频率下转换这里实现了下转换量子接口，其中使用光纤耦合的周期性极化铌酸锂（PPLN）波导和1.95 mm泵浦激光器，将从单个InAs量子点在864 nm处发射的单光子下变频为1552 nm，变频效率为40％。量子点发射的单光子纯度在下转换...
评级：0 浏览量：50 收藏量：0 资源大小：613KB 上传时间：2021-03-26

: 垂直堆垛InAs量子点的光学性质垂直堆跺InAs量子点是用分子束外延(MBE),通过Stranski-Krastanov(S-K)方式生长.利用光致发光(PL)实验对InAs量子点进行了表征.在生长过程中使用对形状尺寸控制的方式来提高垂直堆垛InAs量子点形貌均匀性.样品的外延...
评级：0 浏览量：45 收藏量：0 资源大小：1.79MB 上传时间：2021-02-08

: 应力缓冲层对自组装InAs量子点发光性质的影响采用变温及时间分辨光致发光测量手段, 研究了分子束外延(MBE)设备生长的具有不同盖帽层的InAs量子点样品。发现InxGa1-xAs盖帽层可以减小InAs量子点所受的应力、降低位错及缺陷的产生, 使发光峰强度增大。但x值过大(x...
评级：0 浏览量：60 收藏量：0 资源大小：1002KB 上传时间：2021-02-10

: 超晶格覆盖层对拓展InAs量子点发光波长的影响 (2005年) 提出了一种调节InAs量子点长波长发光的方法。采用分子束外延生长GaAs/InAs短周期超晶格作覆盖层,可以拓展量子点发光波长至1. 3umm～1. 5um.研究了不同超晶格周期作覆盖层对InAs量子点的晶体结构和光学特性的影响:...
评级：0 浏览量：62 收藏量：0 资源大小：396KB 上传时间：2021-06-15

: GaAs纳米线上的多壳InAs量子点的制备和光学性质通过金属有机化学气相沉积，在GaAs纳米线的侧壁上生长1-4个Stranski-Krastanov InAs量子点的壳。不同的点壳被8 nm GaAs隔离壳隔开。随着壳层数量的增加，量子点变得稀疏并倾向于排列成一个阵列，这是由于点倾向于...
评级：0 浏览量：36 收藏量：0 资源大小：3.46MB 上传时间：2021-04-25

: 从InGaAs量子阱到InAs量子点的电子耦合在杂化纳米结构中的载流子动力学从InGaAs量子阱到InAs量子点的电子耦合在杂化纳米结构中的载流子动力学
评级：0 浏览量：49 收藏量：0 资源大小：1.66MB 上传时间：2021-03-24

: 具有AlSb / InAs量子阱结构的高灵敏度霍尔器件具有AlSb / InAs量子阱结构的高灵敏度霍尔器件
评级：0 浏览量：45 收藏量：0 资源大小：338KB 上传时间：2021-04-13

: 嵌入管状管状微腔中的InAs量子点的光学共振嵌入管状管状微腔中的InAs量子点的光学共振
评级：0 浏览量：46 收藏量：0 资源大小：590KB 上传时间：2021-03-15

: 通过分子束外延在GaAs（001）上自组装InAs量子点（综述文章）通过分子束外延在GaAs（001）上自组装InAs量子点（综述文章）
评级：0 浏览量：54 收藏量：0 资源大小：1.02MB 上传时间：2021-03-04

: 双层堆垛长波长InAs/GaAs量子点发光性质研究通过优化InAs淀积量、中间GaAs层厚度以及InAs量子点生长温度等生长条件，获得了室温光致发光1391~1438 nm的高质量InAs量子点。研究发现对量子点GaAs间隔层实施原位退火、采用Sb辅助生长InGaAs盖层等方法可以增强高...
评级：0 浏览量：60 收藏量：0 资源大小：3MB 上传时间：2021-02-12

: 阱宽和阱数对超过2.4μm的基于InP的三角量子阱激光器的影响通过使用气体源分子束外延生长的InAs / In053Ga0.47As数字合金等效地形成了三角形量子阱，并通过X射线衍射测量证实了拟晶生长。对于具有四个13 nm量子阱的激光器，已经在连续波操作下在330 K以上的2.30μm处发射...
评级：0 浏览量：101 收藏量：0 资源大小：455KB 上传时间：2021-03-04

: 在InAs / GaAs量子点附近通过Sb喷雾抑制位错通过截面高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）研究了在盖上GaAs层之前进行Sb喷涂对通过分子束外延（MBE）生长的InAs / GaAs量子点（QD）的结构和性能的影响。。与典型的盖有GaAs的InAs / GaAs QD相比，喷Sb的QD显示出更...
评级：0 浏览量：50 收藏量：0 资源大小：1.79MB 上传时间：2021-03-19

: 论文研究 - 基于InAs / InP量子缝和InAs / GaAs量子点的pin激光异质结构的载流子传导机理研究通过在InAs / InP和基于InAs / GaAs的引脚结构上进行取决于温度的电流-电压和电致发光测量，研究了包含量子点层（QD）的长波长半导体激光器结构的电荷转移特性。在InAs / InP细长QD（QDashes）结构中，注入的载流子...
评级：0 浏览量：125 收藏量：0 资源大小：807KB 上传时间：2020-06-02

: InAs / GaSb量子阱系统中杂化隙的电场依赖性 InAs / GaSb量子阱系统中杂化隙的电场依赖性
评级：0 浏览量：47 收藏量：0 资源大小：485KB 上传时间：2021-03-14

: 利用MOCVD生长室温连续激射InAs/GaAs量子点激光器利用MOCVD生长室温连续激射InAs/GaAs量子点激光器
评级：0 浏览量：72 收藏量：0 资源大小：288KB 上传时间：2021-04-10

: 基于微柱中InAs双层量子点的1.3 um明亮单光子源研究了在1.3μm波长下具有显着高计数率的单光子发射速率，该速率能够通过InAs / GaAs双层量子点与分布式布拉格反射器的微柱（直径约3μm）腔耦合，实现基于光纤的量子通信，其光子提取效率达到3.3％。在微光致发光...
评级：0 浏览量：43 收藏量：0 资源大小：825KB 上传时间：2021-04-30

: 高密度、长波长InGaAs量子点材料的制备与表征利用MOCVD外延生长技术,对InAs/GaAs量子点材料的生长参数进行调节,获得了高密度(~5×1010cm-2)的InAs量子点.室温荧光光谱表明,覆盖厚度为5 nm的InGaAs(In组分的摩尔分数为12%)低应变层量子点材料的基态发光波长为1....
评级：0 浏览量：62 收藏量：0 资源大小：267KB 上传时间：2021-03-11

: δ掺杂Si对InAs/GaAs量子点太阳电池的影响在In As/Ga As量子点的自组装生长阶段,采用δ掺杂技术对量子点进行不同浓度的Si掺杂,可以使得量子点的室温光致发光峰强度大幅提高,其原因是掺杂的Si原子释放电子钝化了周围的非辐射复合中心。这种掺杂也应用到了量子...
评级：0 浏览量：76 收藏量：0 资源大小：356KB 上传时间：2021-03-19

: 量子点级联激光器的研究通过利用SK生长模式的自组织量子点和双应变补偿有源区设计，我们最终实现了基于 InAs/In gaAs/InAlAs异质结的量子点级联激光器。在量子点级联激光器的有源区能带结构设计中，我们使用了包络函数近似的一...
评级：0 浏览量：43 收藏量：0 资源大小：18.46MB 上传时间：2021-07-07

: InAs / GaAs量子点激光光谱中的高强度单模峰我们报告了InAs / GaAs量子点激光器的异常激光光谱，其中存在一个单模峰，其光强度比其他模式大几倍。在413 mA的注入电流下，在29∘C下测得的单模峰值的最大侧模抑制比为10.11 dB。发现该异常激光光谱的出现发生在...
评级：0 浏览量：47 收藏量：0 资源大小：1.01MB 上传时间：2021-03-17

: GaAs衬底上具有2.9μmI型发射的InAs / In0.83Al0.17As量子阱这项工作报告了在基于GaAs的变体In0.83Al0.17As缓冲液上生长的InAs量子阱（QW），用于I型中红外（MIR）发射。 X射线衍射和拉曼测量表明，基于GaAs的量子阱与基于InP的结构具有相似的晶格和应变条件。原子力显微镜...
评级：0 浏览量：31 收藏量：0 资源大小：2.27MB 上传时间：2021-03-28

: 超薄InGaAs应变层上多层InAs/InGaAs量子点的结构和光学性质研究超薄InGaAs应变层上多层InAs/InGaAs量子点的结构和光学性质研究，张春玲，姚江宏，本工作在GaAs基50nm InGaAs应变层上生长了六层InAs 量子点（QD）层，通过分析各层之间的应力状况，配合生长过程中的反射式高能电子...
评级：0 浏览量：111 收藏量：0 资源大小：225KB 上传时间：2020-01-08

: 具有不同双峰种群的低密度InAs / GaAs量子点的PL 具有不同双峰种群的低密度InAs / GaAs量子点的PL
评级：0 浏览量：53 收藏量：0 资源大小：815KB 上传时间：2021-03-15

: 各向异性对InAs／GaAs量子点应变分布的影响 (2013年) 研究了InGaAs／GaAs自组织量子点体系的应变分布．结果表明，量子点形状的各向异性对其流体静压应变的影响较为微弱，而对单轴应变的影响则更加明显且较为复杂．对于实验生长的常见s―K模式的量子点，其弹性张量的立方...
评级：0 浏览量：58 收藏量：0 资源大小：894KB 上传时间：2021-05-23

: InAs/GaAs/InP及InAs/InP自组装量子点室温PL谱的研究 (2001年) 用五带k・P模型计算InAs/GaAs/InP及InAs/InP的室温PL谱的能级分布，分析 PL谱峰值．发现GaAs的张应变层影响PL峰值位置，与InAs/InP量子点相比，InAs/ GaAs/InP量子点PL谱峰值有明显红移，并从能带理论给出解释．
评级：0 浏览量：55 收藏量：0 资源大小：178KB 上传时间：2021-05-10

: 基于InP的变质InAlAs缓冲液的I型中红外InAs / InGaAs量子阱激光器基于InP的变质InAlAs缓冲液的I型中红外InAs / InGaAs量子阱激光器
评级：0 浏览量：61 收藏量：0 资源大小：796KB 上传时间：2021-03-20

: 铋表面活性剂对InP基高应变InAs / InGaAs三角量子阱的影响铋表面活性剂对InP基高应变InAs / InGaAs三角量子阱的影响
评级：0 浏览量：47 收藏量：0 资源大小：1.2MB 上传时间：2021-03-06

: 基于InAs_GaSb的二类、断带半导体量子阱中载流子的量子态.pdf 基于InAs_GaSb的二类、断带半导体量子阱中载流子的量子态.pdf
评级：0 浏览量：42 收藏量：0 资源大小：180KB 上传时间：2021-08-29

: 调制p掺杂1310 nm InAs / GaAs量子点激光材料和超短腔法布里-珀罗和分布反馈激光二极管的开发刻蚀多层InAs / GaAs量子点（QD）激光结构以去除p侧AlGaAs覆层，以研究随温度变化的光致发光（PL）特性。通过分子束外延（MBE）和生长后退火Craft.io制备了四个QD样品，包括未掺杂的生长QD，p掺杂的生长QD，未掺杂...
评级：0 浏览量：84 收藏量：0 资源大小：2.12MB 上传时间：2021-03-09

: 高密度、长波长InGaAs量子点材料的制备与表征 (2010年) 利用MOCVD外延生长技术,对InAs/GaAs量子点材料的生长参数进行调节,获得了高密度(～5×1010cm-2)的InAs量子点。室温荧光光谱表明,覆盖厚度为5nm的InGaAs(In组分的摩尔分数为12%)低应变层量子点材料的基态发光波长为1....
评级：0 浏览量：56 收藏量：0 资源大小：488KB 上传时间：2021-05-26

: In原子在GaAs(001)表面的成核与扩散研究近年来，半导体量子点特别是InAs量子点的基本物理性质和潜在应用得到了广泛研究。许多研究者利用InAs量子点结构的改变以调制其光电特性。本文采用液滴外延法在GaAs(001)表面沉积了不同沉积量的In(3 ML、4 ML、5 ML)...
评级：0 浏览量：55 收藏量：0 资源大小：3.8MB 上传时间：2021-02-21

: 使用光注入和反馈的InAs / GaAs分布式反馈量子点激光中的P1动力学使用光注入和反馈的InAs / GaAs分布式反馈量子点激光中的P1动力学
评级：0 浏览量：41 收藏量：0 资源大小：1.05MB 上传时间：2021-03-20

: 使用三角阱改善了InP上的2.2微米InAs / InGaAs QW激光器的性能为了研究三角形量子阱对激光器性能的影响，讨论了用数字合金三角形量子阱生长的激光器，并提出了矩形InAs量子阱激光器作为参考。三角形QW的使用在阈值电流密度，输出功率，特征温度，最高工作温度，量子效率和内部...
评级：0 浏览量：98 收藏量：0 资源大小：716KB 上传时间：2021-03-24

: Extremely low density self-assembled InAs/GaAs quantum dots The self-assembled InAs/GaAs quantum dots (QDs) with extremely low density of 8\time10^(6) cm^(-2) are achieved using higher growth temperature and lower InAs coverage by low-pressure metal-organic ...
评级：0 浏览量：81 收藏量：0 资源大小：306KB 上传时间：2021-02-13

: In As量子点的结构及光学性质研究 (2005年) 采用分子束外延技术在(001) GaAs衬底上生长了多层InAs量子点,原子力显微镜观测了生长在表面的量子点,用透射电子显微镜观察到五层量子点截面像,傅立叶变换光谱仪测试量子点光致发光谱.原子力显微镜以及透射电镜观察...
评级：0 浏览量：35 收藏量：0 资源大小：738KB 上传时间：2021-05-09

: MOCVD生长和在1.3μm附近发射的取向不正确的Si（100）上的多堆叠InAs / GaAs量子点的表征 MOCVD生长和在1.3μm附近发射的取向不正确的Si（100）上的多堆叠InAs / GaAs量子点的表征
评级：0 浏览量：49 收藏量：0 资源大小：720KB 上传时间：2021-03-13

: InP上用于中红外发射的变质InAs1-xBix / In0.83Al0.17As量子阱结构 InP上用于中红外发射的变质InAs1-xBix / In0.83Al0.17As量子阱结构
评级：0 浏览量：64 收藏量：0 资源大小：1.51MB 上传时间：2021-03-04

: Growth and characterization of InAs quantum dots with low-density and long emission wavelength The growth parameters affecting the deposition of self-assembled InAs quantum dots (QDs) on GaAs substrate by low-pressure metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) are reported. The low-density...
评级：0 浏览量：80 收藏量：0 资源大小：344KB 上传时间：2021-02-12

: Optical properties of 1.3-\mum InAs/GaAs quantum dots grown by metal organic chemical vapor ... The optical properties of self-assembled InAs quantum dots (QDs) on GaAs substrate grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) are reported. Photoluminescence (PL) measurements prove the ...
评级：0 浏览量：52 收藏量：0 资源大小：465KB 上传时间：2021-02-10

: 低阈值量子结构激光器的优化结构设计以对数形式给出了量子结构激光器材料增益和注入载流子浓度的关系，并且以InGaAs(P)/InP量子阱激光器和InAs/GaAs自组装量子点结构激光器为例，分别计算了为得到最低阈值电流所需要的量子阱阱数和自组装量子点的面密度...
评级：0 浏览量：66 收藏量：0 资源大小：889KB 上传时间：2021-02-11

: Ga束流低温辅助清理GaAs衬底表面氧化物的研究用这项技术清理外延GaAs衬底，仅通过生长十几纳米厚的GaAs缓冲层，就能够重复地获得高质量低密度InAs量子点。另外，采用这项技术良好地保持了外延衬底的原有表面特性，相信它在需要保持良好界面特性的器件结构外延再...
评级：0 浏览量：99 收藏量：0 资源大小：1.46MB 上传时间：2021-02-09

: 自组装量子点中的g因子调整理论上，通过紧密结合式有效键轨道方法，探索了自组装InAs / GaAs量子点中激子g因子电调谐的可能性。发现各种尺寸的点中的电子g因子在很宽的场强范围内几乎没有变化。相反，高纵横比的点中的接地Kong状态对于所...
评级：0 浏览量：60 收藏量：0 资源大小：235KB 上传时间：2021-02-23

: AHS量子霍尔传感器，也叫量子阱霍尔传感器，利用分子束外延技术制造薄膜晶片，以及量子阱霍尔效应（QWHE）... AHS公司目前向市场推出“二维电子气 (2-DEG)”薄膜，这种结构由 III-V 族化合物制成，具有比硅、GaAs、InAs 或 InSb 霍尔效应器件和磁电阻器更出色的特性。AHS 在 MBE 生长的 2-DEG结构方面的独特专业知识使其在...
评级：0 浏览量：57 收藏量：0 资源大小：420KB 上传时间：2022-06-16

: 各向异性电子在自组装量子点中自旋理论上，通过紧密结合的方法研究了自组装InAs / GaAs量子点中的电子g因子。已经发现，由能带混合效应引起的电子g因子的各向异性比点的结构长径比对点的化学组成更敏感。在纯InAs点中，通常会看到垂直电子g因子的...
评级：0 浏览量：215 收藏量：0 资源大小：145KB 上传时间：2021-02-23

: 自组装异质结量子点的长波光发射作者报告了GaSb / InAs / GaAs自组装异质结量子点（QDs）的光学特性。随着GaSb沉积的增加，室温发射波长可以扩展到1.56μm。光致发光机理被认为是II型跃迁，其中电子被限制在InAs中，而空穴被限制在GaSb中。？ ...
评级：0 浏览量：61 收藏量：0 资源大小：374KB 上传时间：2021-02-23

: 长波段InAs/GaSb超品格材料的分子束外延研究 (2013年) InAs/GaSb Ⅱ类超晶格作为红外探测材料具有优越的光电性能，其量子效率高，暗电流小，微带带隙可调，是第三代红外焦平面探测器的最优选材料。本文对长波段超晶格材料分子束外延技术进行了优化，设计了“两步法”界面...
评级：0 浏览量：50 收藏量：0 资源大小：350KB 上传时间：2021-05-21

: 微柱型DBR微腔耦合量子点单光子发射及光纤耦合输出本文提出结合双层耦合量子点和InGaAs盖层的方法，成功将InAs/GaAs平面量子点的发光波长拓展至1310nm，此外结合微柱刻蚀工艺的优化、有源区附近δ掺杂以及降低上层量子点的生长温度等方法，成功实现高出射计数率和高...
评级：0 浏览量：92 收藏量：0 资源大小：208KB 上传时间：2021-03-14

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