自组装量子点中的g因子调整

理论上，通过紧密结合式有效键轨道方法，探索了自组装InAs / GaAs量子点中激子g因子电调谐的可能性。 发现各种尺寸的点中的电子g因子在很宽的场强范围内几乎没有变化。 相反，高纵横比的点中的接地Kong状态对于所施加的场非常敏感，其g因子甚至随场而变化。 用空穴状态携带的非零包络轨道角动量解释了电场存在下电子和空穴g因子的不同行为。