高密度、长波长InGaAs量子点材料的制备与表征 (2010年)

利用MOCVD外延生长技术,对InAs/GaAs量子点材料的生长参数进行调节,获得了高密度(～5×1010cm-2)的InAs量子点。室温荧光光谱表明,覆盖厚度为5nm的InGaAs(In组分的摩尔分数为12%)低应变层量子点材料的基态发光波长为1.346μm,光谱线宽为24meV。研究结果表明,利用较低温度生长InAs量子点,结合较高In组分的InGaAs低应变层量子点材料可以实现发光波长红移,有效地改善材料的光学特性。