射频场效应管

本专辑为您列举一些射频场效应管方面的下载的内容,射频场效应管等资源。把最新最全的射频场效应管推荐给您,让您轻松找到相关应用信息,并提供射频场效应管下载等功能。本站致力于为用户提供更好的下载体验，如未能找到射频场效应管相关内容，可进行网站注册，如有最新射频场效应管相关资源信息会推送给您。

阅读全文

射频场效应管

: 射频微波功率场效应管的建模与特征射频微波功率场效应管的建模与特征，中文书籍，射频基础知识快速入门
评级：0 浏览量：210 收藏量：3 资源大小：37.98MB 上传时间：2019-04-11

: 元器件应用中的场效应管（mosfet）参数符号意义 dv/dt---电压上升率（外电路参数）　ID---漏极电流（直流）　IDM---漏极脉冲电流　ID(on)---通态漏极电流　IDQ---静态漏极电流（射频功率管）　IDS---漏源电流　IDSM---最大漏源电流　IDSS---栅-源短路时，漏极电流...
评级：0 浏览量：308 收藏量：0 资源大小：36KB 上传时间：2020-11-22

: 场效应晶体管射频微波建模技术 场效应晶体管射频微波建模技术，比较系统，通俗易懂，入门教材
评级：5 浏览量：269 收藏量：1 资源大小：17.03MB 上传时间：2012-02-20

: 射频微波功率场效应管的建模与特征_2009.pdf 射频微波功率场效应管的建模与特征
评级：0 浏览量：48 收藏量：0 资源大小：37.97MB 上传时间：2021-03-12

: 射频MOS管的非线性特性分析与线性度提高技术基于射频(RF) MOS管的等效电路及非线性等效模型，采用Agilent公司ADS软件中的Symbolically Defined Device(SDD)，对RF MOS管的非线性特性进行了综合分析。在此基础上，针对栅源电容(Cgs)、跨导(gm)、输出导纳(gds)和...
评级：0 浏览量：417 收藏量：1 资源大小：706KB 上传时间：2020-10-17

: 电源技术中的场效应管参数符号 --电压上升率（外电路参数）ID---漏极电流（直流）IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流IDS(sat)---沟道饱和...
评级：0 浏览量：125 收藏量：0 资源大小：47KB 上传时间：2020-12-09

: 元器件应用中的场效应管的偏置电路为保证场效应管能起到正常的放大作用，和半导体三极管一样，也要预先给它设置合适的静态工作点。为了减少电源的种类，栅极的偏差一般都采用自给偏压的方法来供给。典型的自给偏压电路典型的自给偏差电路如图所示...
评级：0 浏览量：252 收藏量：0 资源大小：148KB 上传时间：2020-11-23

: 用于射频的场效应管FLL120 用于高频电子线路中的砷化镓场效应管，频率在1GHZ到2GHZ之间，静态电流时2A
评级：0 浏览量：134 收藏量：0 资源大小：76KB 上传时间：2011-06-23

: 射频放大器工作原理　射频放大器工作原理　目前功率放大可以通过功率放大芯片实现，但其还是三极管和场效应管。　基于射频放大器通常其部分主要由三极管和场效应管或者MOS管构成，相信大家并不陌生。其输入输出关系分别如图所示。　...
评级：5 浏览量：2011 收藏量：4 资源大小：87KB 上传时间：2021-01-20

: 元器件应用中的安华高面向无线通信应用推出业内尺寸最小的场效应晶体管安华高科技近日宣布，推出业内封装尺寸最小的场效应晶体管产品，尺寸大小仅1.0 x 0.5 x 0.25 mm，这些超小型低厚度分立式低噪器件占用空间只有标准SOT-343封装的5%以下，新推出的VMMK-1218和-1225通过采用Avago创新...
评级：0 浏览量：87 收藏量：0 资源大小：58KB 上传时间：2020-11-21

: 解析射频功率放大器极其维修　随着广播进入数字化的发展模式，生产和运行的全固态PDM和DAM中波广播发射机中的射频功率放大器，也就是功放末级全部采用了场效应管桥式丁类放大器。高频功率放大器实质是一种受控源能量转换器，在高频振荡电压激励...
评级：0 浏览量：275 收藏量：1 资源大小：96KB 上传时间：2021-01-20

: 基于记忆多项式的射频功放模型研究详细讨论了记忆多项式模型结构及其如何采用查找表来实现,并采用单载波WCDMA信号和工作于1930～1990MHz频率范围的60W推挽型砷化镓场效应管(FLL600IQ-2)放大器来验证这种新方法的有效性.验证结果表明:基于查找表实现的...
评级：0 浏览量：307 收藏量：0 资源大小：130KB 上传时间：2021-02-20

: 具有极小的寄生电容和漏极感应势垒降低的自对准U型栅极碳纳米管场效应晶体管引入了用于碳纳米管（CNT）场效应晶体管（FET）的新型自对准U栅极结构，并显示出与以前的最佳CNT FET相当的出色的性能，可重复性开发了自对准器件结构。特别是，U栅极FET的亚阈值摆幅为75 mV / dec，漏极引起的势垒...
评级：0 浏览量：167 收藏量：0 资源大小：4.36MB 上传时间：2021-02-24

: 采用射频功率放大器驱动器的无线系统实现本文主要描述了采用1.2V基线65nm CMOS技术实现8.04Vpp和3.6GHz工作频率的首款宽带PWM控制RF SMPA驱动器。
评级：0 浏览量：44 收藏量：0 资源大小：218KB 上传时间：2020-08-08

: 浅谈射频电容ESR的选用及应用陶瓷电容的等效串联电阻损耗在选用射频片状陶瓷电容时，等效...在手持便携式发射设备的末级功率放大器内使用低损耗电容作场效应晶体管源极旁路和漏极耦合，可以延长电池寿命。ESR高的电容增加I2ESR损耗，浪费电池能
评级：0 浏览量：237 收藏量：0 资源大小：97KB 上传时间：2021-01-20

: 大功率宽带射频脉冲功率放大器设计本文的大功率宽频带线性射频放大器是利用MOS场效应管(MOSFET)来设计的，采取AB类推挽式功率放大方式，其工作频段为O 6M～10MHz，输出的脉冲功率为1200W。经调试使用，放大器工作稳定，性能可靠。调试、试验和实用时...
评级：0 浏览量：377 收藏量：2 资源大小：203KB 上传时间：2020-08-21

: 论文研究-LDMOS射频功率放大管的栅极温度特性研究 .pdf LDMOS射频功率放大管的栅极温度特性研究，王胜军，鲍景富，本文介绍了射频功率放大器的电-热记忆效应和横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOS FET）；通过MET LDMOS模型，对晶体管的静��
评级：0 浏览量：210 收藏量：2 资源大小：460KB 上传时间：2019-08-18

: 在基站射频功率放大器上硅电容器解决方案伴随高速大容量5G通信技术而来的信号宽带化及挑战　为了达到相当于现行网速100倍的10Gbps，如何利用比现行带宽宽数倍至数...IMD的低频段可通过与场效应管的漏极相连的偏置电路消除，但是IMD的高频段因为受到用于RF-Blo
评级：0 浏览量：127 收藏量：0 资源大小：160KB 上传时间：2021-01-20

: 模拟技术中的浅谈射频电容ESR的选用及应用陶瓷电容的等效串联电阻损耗在选用射频片状陶瓷电容时，等效...在手持便携式发射设备的末级功率放大器内使用低损耗电容作场效应晶体管源极旁路和漏极耦合，可以延长电池寿命。ESR高的电容增加I2ESR损耗，浪费电池
评级：0 浏览量：135 收藏量：0 资源大小：98KB 上传时间：2020-10-22

: 通信与网络中的大功率宽带射频脉冲功率放大器设计　通常情况下，在HF~VHF频段设计的宽带射频功放，采用场效应管(FET)设计要比使用常规功率晶体管设计方便简单，正是基于场效应管输入阻抗比较高，且输入阻抗相对频率的变化不会有太大的偏差，易于阻抗匹配，另外偏置...
评级：0 浏览量：195 收藏量：1 资源大小：178KB 上传时间：2020-11-30

: 元器件应用中的飞思卡尔首推L-Band雷达用50V LDMOS功率晶体管 MRF6V14300H可在1200到1400MHz频带内产生330W的脉动RF功率输出，与竞争的双极和场效应晶体管（FET）相比，飞思卡尔的新产品在这种功率水平和频率范围为效率、增益和热阻抗等指标订立了新标准。　“随着我们新RF...
评级：0 浏览量：82 收藏量：0 资源大小：75KB 上传时间：2020-11-18

: 电子维修中的解析射频功率放大器极其维修　随着广播进入数字化的发展模式，生产和运行的全固态PDM和DAM中波广播发射机中的射频功率放大器，也就是功放末级全部采用了场效应管桥式丁类放大器。高频功率放大器实质是一种受控源能量转换器，在高频振荡电压激励...
评级：0 浏览量：134 收藏量：0 资源大小：97KB 上传时间：2020-10-23

: 详解微波射频器件极限功率损耗与分散但随着微波真空管（如行波管（TWT））和核心有源器件（如硅横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管和氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET））的功率电平的日益增加，当安装在精心设计的放大器电路中时，它们也将受到...
评级：0 浏览量：122 收藏量：0 资源大小：87KB 上传时间：2020-07-29

: 锐迪科微电子推出首款2.4GHz ISM射频前端模块 RDAT212射频前端模块内集成的功率放大器PA采用砷化镓异质结双极晶体管GaAs HBT工艺制造、低噪声放大器LNA和天线开关Switch采用增强型高电子迁移率场效应晶体管E-PHEMT工艺制造，保证了产品的优良特性。在封装设计...
评级：0 浏览量：71 收藏量：0 资源大小：60KB 上传时间：2021-01-19

: 动态偏置射频功率放大器设计文中根据输入信号的功率变化对末级场效应管漏极偏压进行动态控制以获得更高效率,该方法结构简单且实用性强.仿真结果表明该功率放大器对于2.0175GHz的TD-SCDMA调制信号,在整个输入功率变化范围内,功率附加效率(PAE)与...
评级：0 浏览量：154 收藏量：1 资源大小：243KB 上传时间：2021-02-24

: 元器件应用中的D类MOSFT在发射机射频功放中的应用 O 引言　随着微电子技术的发展，MOS管在电子与通信工程...　MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的简称，或称为MOS场效应管，它是有别于结型场效应管的绝缘
评级：0 浏览量：81 收藏量：0 资源大小：276KB 上传时间：2020-11-09

: 锐迪科微电子针对2.4GHz ISM应用推出新一代射频前端模块 RDAT212射频前端模块内集成的功率放大器PA采用砷化镓异质结双极晶体管GaAs HBT工艺制造、低噪声放大器LNA和天线开关Switch采用增强型高电子迁移率场效应晶体管E-PHEMT工艺制造，保证了产品的优良特性。...
评级：0 浏览量：68 收藏量：0 资源大小：59KB 上传时间：2021-01-19

: pozar微波工程第三版中文版，清晰度一般在微波电路和器件方面，除介绍传统的线性微波电路及波导器件外，还增加了平面结构元件和集成电路的设计、振荡器的相位噪声、晶体管功率放大器、非线性效应以及当今微波工程师经常使用的工具，如微波CAD软件包和网络...
评级：0 浏览量：84 收藏量：1 资源大小：23.99MB 上传时间：2023-03-24

: RFID技术中的锐迪科微电子推出首款2.4GHz ISM射频前端模块 RDAT212射频前端模块内集成的功率放大器PA采用砷化镓异质结双极晶体管GaAs HBT工艺制造、低噪声放大器LNA和天线开关Switch采用增强型高电子迁移率场效应晶体管E-PHEMT工艺制造，保证了产品的优良特性。在封装设计...
评级：0 浏览量：146 收藏量：0 资源大小：61KB 上传时间：2020-12-03

: 基于记忆多项式的射频功放模型研究 (2008年) 详细讨论了记忆多项式模型结构及其如何采用查找表来实现，并采用单载波WCDMA信号和工作于1930～1990MHz频率范围的60W推挽型砷化镓场效应管（FLL600IQ-2）放大器来验证这种新方法的有效性。验证结果表明：基于查找表...
评级：0 浏览量：124 收藏量：0 资源大小：174KB 上传时间：2021-05-14

: RFID技术中的锐迪科微电子针对2.4GHz ISM应用推出新一代射频前端模块 RDAT212射频前端模块内集成的功率放大器PA采用砷化镓异质结双极晶体管GaAs HBT工艺制造、低噪声放大器LNA和天线开关Switch采用增强型高电子迁移率场效应晶体管E-PHEMT工艺制造，保证了产品的优良特性。...
评级：0 浏览量：77 收藏量：0 资源大小：61KB 上传时间：2020-11-27

: 4H-SiC MESFET大信号非线性特性分析采用Volterra级数法对4H2SiC射频MESFET的大信号非线性特性进行了分析,并研究了器件尺寸与线性度的关系。模型考虑了陷阱效应对非线性特性的影响,模拟结果能够较好地反映实验结果。进一步分析表明,在1GHz和1. 01GHz...
评级：0 浏览量：66 收藏量：0 资源大小：246KB 上传时间：2021-02-20

: 基于Load-Pull系统的射频功率放大器的设计 (2009年) 基于实际搭建的Load-pull系统测试得到的数据设计实现了2.4 GHz的GaAs场效应管的功率放大器。在没有大信号模型的情况下设计出的实际电路的输出功率为22 dBm，功率增益为12 dB，很好地实现了此GaAs场效应管的性能。...
评级：0 浏览量：483 收藏量：0 资源大小：273KB 上传时间：2021-05-10

: 通信电路原理（第二版）_董在望主编 3.2.2 场效应管的等效电路和参数　3.2.3 晶体管的y参数等效电路　3.3 高频小信号宽带放大器　3.3.1 概述　3.3.2 共发射极放大器　3.3.3 共基极放大器　3.3.4 共发共基级联电路　3.3.5 场效应管高频小信号放大器　...
评级：5 浏览量：1330 收藏量：5 资源大小：7.33MB 上传时间：2015-09-06

: RFID技术中的通过微波混频器实现频率转换　射频/微波混频器实际上是一种三端口元件，可以制作为基于二极管的无源器件，或基于偏置型场效应晶体管（FET）的有源元件。混频器的三端口通常是指射频（RF）端口、本振（LO）端口和中频（IF）端口，其中两个作为...
评级：0 浏览量：119 收藏量：0 资源大小：122KB 上传时间：2020-10-21

: 模拟技术中的宽带功率放大器的设计前级放大器采用MMICPower Amplifier HMC481MP86，末级采用飞思卡尔公司的LDMOS场效应晶体管MW6S004N。飞思卡尔公司提供的datasheet中没有包含在设计所要求的频段和功率输出值时相应的输入和输出阻抗值。为了正确匹配...
评级：0 浏览量：455 收藏量：1 资源大小：214KB 上传时间：2020-11-11

: AD原理图库大全（包含大量常见电子器件) 0.5 - 场效应管-可控硅.SchLib 0.6 - 数码管-TFT-OLED屏.SchLib 0.7 - 常用按键-开关.SchLib 0.8 - 以太网-音频-USB插座.SchLib 0.9 - 电路模块.SchLib 1.0 - 常见芯片.SchLib 1.1 - 电源类芯片.SchLib 1.2 -...
评级：0 浏览量：113 收藏量：0 资源大小：2.42MB 上传时间：2024-03-02

: PDM发射机激励驱动放大器的维护注意事项　如图1所示，从1千瓦PDM发射机射频驱动放大器的原理图可知，从激励前级来的0-+15V的方波脉冲，从变压器T1的同名端输入，经两个次级绕组给场效应管G2和G1拾电，G2和Gl推挽放大，输出80V-100V的方波脉冲，经过C5和L的...
评级：0 浏览量：60 收藏量：0 资源大小：88KB 上传时间：2021-01-20

: 物联网硬件基础第二部分分为低频和射频两个部分，其中低频部分主要介绍二极管及其应用电路、三极管及其放大电路、多级放大电路、场效应管及其放大电路、负反馈放大器、集成运算放大器基本运算电路、功率放大器等。射频部分主要介绍...
评级：5 浏览量：461 收藏量：0 资源大小：41.07MB 上传时间：2021-06-20

: 基础电子中的PDM发射机激励驱动放大器的维护注意事项　如图1所示，从1千瓦PDM发射机射频驱动放大器的原理图可知，从激励前级来的0-+15V的方波脉冲，从变压器T1的同名端输入，经两个次级绕组给场效应管G2和G1拾电，G2和Gl推挽放大，输出80V-100V的方波脉冲，经过C5和L的...
评级：0 浏览量：96 收藏量：0 资源大小：90KB 上传时间：2020-10-20

: 通过微波混频器实现频率转换　射频/微波混频器实际上是一种三端口元件，可以制作为基于二极管的无源器件，或基于偏置型场效应晶体管（FET）的有源元件。混频器的三端口通常是指射频（RF）端口、本振（LO）端口和中频（IF）端口，其中两个作为...
评级：0 浏览量：147 收藏量：0 资源大小：223KB 上传时间：2021-01-19

: SiC基芯片背面通孔刻蚀工艺研究通过装片夹具改进及工艺条件优化，开发出刻蚀速率为1μm/min、SiC与Ni的选择比大于60∶1、倾斜角小于85°、侧壁光滑的SiC通孔工艺条件，可用于SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)、SiC金属半导体场效应管(MESFET)等大...
评级：0 浏览量：259 收藏量：1 资源大小：754KB 上传时间：2020-12-21

: 基于ADS仿真的宽带低噪声放大器设计当今低噪声放大器主要采用单片微波集成电路（MMIC）技术，将所有有源器件（如双极性晶体管或场效应晶体管）和无源器件（如电阻器、电感器、电容器和传输线等）全部集成在一块半导体晶片上，以实现低噪声放大功能，...
评级：5 浏览量：601 收藏量：4 资源大小：425KB 上传时间：2021-01-20

: 通信与网络中的低压驱动RF MEMS开关设计与模拟然而RF MEMS开关普遍存在驱动电压高、开关时间长的问题，劣于FET场效应管开关和PIN二极管开关。相对于国外已取得的成果，国内的研究尚处于起步阶段。下文将针对MEMS开关的缺陷做一些改进。　1 RF MEMS开关的一般...
评级：0 浏览量：54 收藏量：0 资源大小：142KB 上传时间：2020-11-05

: 模拟技术中的基于ADS仿真的宽带低噪声放大器设计当今低噪声放大器主要采用单片微波集成电路（MMIC）技术，将所有有源器件（如双极性晶体管或场效应晶体管）和无源器件（如电阻器、电感器、电容器和传输线等）全部集成在一块半导体晶片上，以实现低噪声放大功能，...
评级：0 浏览量：167 收藏量：0 资源大小：339KB 上传时间：2020-10-23

: 24 GHz FMCW车载测距雷达系统设计雷达射频模块采用基于异质结场效应晶体管NE3514研制的雷达射频模块传感器实现；中频信号处理模块由高通滤波器、可变增益放大器、低通滤波器构成。采用TLV2374运算放大器设计实现高通滤波器， TLV2374运算放大器与...
评级：0 浏览量：803 收藏量：4 资源大小：388KB 上传时间：2020-10-16

: 自制DAM中波发射机功放模块测试仪简述采用静态测量法排查DAM中波发射机功放模块故障,对单纯的场效应管损坏非常凑效,而当功放模块的开/关控制电路及射频驱动电路出现故障,排查过程就相对繁琐了。为此,笔者自制的DAM中波发射机功放模块测试仪,专门用以测试...
评级：0 浏览量：62 收藏量：0 资源大小：438KB 上传时间：2021-07-07

: eGaN技术的可靠性及元件失效的物理原因与传统的功率MOSFET相比，宜普电源...其中的一些应用范例诸如无线电源传送、DC/DC转换、射频发射基站、卫星系统、音频放大器及光学遥感技术(LiDAR)[等都可以发挥氮化镓场效应晶体管的卓越优势，而其它的应用还有很多。
评级：0 浏览量：76 收藏量：0 资源大小：70KB 上传时间：2020-07-21

资源推荐

相关资源标签

场效应管射频场效应管 LDMOS 元件失效微波射频极限功率技术应用网络通信功率放大器无线系统电子竞赛高频无线电类放大器类 24GHz 基础电子 RFID技术模拟技术电子维修通信与网络中的低压驱动RF MEMS开关设计与模拟通信与网络元器件应用 LDMOS功率晶体管电源技术研究论文 carbon field-effect high-speed circuit; capacitance 射频微波工程技术论文网络