Cds---漏-源电容 Cdu---漏-衬底电容 Cgd---栅-源电容 Cgs---漏-源电容 Ciss---栅短路共源输入电容 Coss---栅短路共源输出电容 Crss---栅短路共源反向传输电容 D---占空比（占空系数，外电路参数） di/dt---电流上升率（外电路参数） dv/dt---电压上升率（外电路参数） ID---漏极电流（直流） IDM---漏极脉冲电流 ID(on)---通态漏极电流 IDQ---静态漏极电流（射频功率管） IDS---漏源电流 IDSM---最大漏源电流 IDSS---栅-源短路时，漏极电流 IDS(sat)---沟
场效应管，特别是MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），在电子设备和电路设计中扮演着至关重要的角色。了解其参数符号的意义对于正确选择和使用MOSFET至关重要。以下是一些关键参数的详细解释：
1. **电容参数**：
- **Cds**：漏-源电容，表示漏极与源极之间的电容，与栅极电压有关。
- **Cdu**：漏-衬底电容，表示漏极与衬底之间的电容。
- **Cgd**：栅-源电容，栅极与源极间的电容。
- **Cgs**：漏-源电容，实际上应为栅-源电容，可能是文件中的误写。
- **Ciss**：栅短路共源输入电容，包括Cgs和Cgd。
- **Coss**：栅短路共源输出电容，包括Cds和Cgd。
- **Crss**：栅短路共源反向传输电容，是Cds在反相条件下的表现。
2. **电流和功率参数**：
- **ID**：漏极电流，表示流经漏极的直流电流。
- **IDM**：漏极脉冲电流，用于脉冲工作状态。
- **ID(on)**：通态漏极电流，MOSFET导通时的电流。
- **IDQ**：静态漏极电流，射频功率管的静态电流。
- **IDS**：漏源电流，源极到漏极的总电流。
- **IDSM**：最大漏源电流，器件可承受的最大电流。
- **IDSS**：栅-源短路时的漏极电流。
- **IDS(sat)**：沟道饱和电流，当MOSFET进入饱和区时的电流。
3. **速度参数**：
- **di/dt**：电流上升率，表示电流随时间变化的速度。
- **dv/dt**：电压上升率，电压随时间变化的速度。
4. **开关特性**：
- **D**：占空比，脉冲信号的导通时间与周期的比例。
- **to(on), td(off)**：开通和关断延迟时间。
- **ti, ton, toff, tf**：上升、开通、关断和下降时间，描述开关转换的速度。
- **trr**：反向恢复时间，二极管从导通切换到截止所需的时间。
5. **其他参数**：
- **VGS(th)**：开启电压或阀电压，使MOSFET开始导通所需的最小栅源电压。
- **VDS(on)**：漏源通态电压，MOSFET导通时的漏源电压。
- **VDS(sat)**：漏源饱和电压，饱和区的漏源电压。
- **V(BR)DSS, V(BR)GSS**：漏源和栅源的击穿电压，超过此值可能导致器件损坏。
- **IG, IGF, IGR, IGDO, IGSO**：栅极相关的电流，包括直流、正向、反向和截止状态的电流。
- **Rg, RL**：栅极和负载电阻，影响电路性能。
- **PD, PDM**：漏极耗散功率和最大允许耗散功率，限制了MOSFET的工作条件。
- **Tj, Tjm, Ta, Tc, Tstg**：涉及MOSFET的工作温度范围。
6. **电气特性**：
- **rDS(on), rDS(off)**：漏源电阻的通态和断态值。
- **rGD, rGS**：栅漏和栅源电阻。
- **gfs, ggd, gds**：跨导和电导，反映MOSFET的放大能力。
- **Gp, Gps, GpG, GPD**：不同配置下的高频功率增益。
7. **热参数**：
- **R(th)jc, R(th)ja**：结壳和结环热阻，衡量散热效率。
- **PIN, POUT**：输入和输出功率。
理解这些参数有助于工程师在电路设计中选择合适的MOSFET，并确保其在各种工作条件下稳定运行。同时，这些参数也是评估MOSFET性能、效率和可靠性的关键指标。
