近年来射频微电子系统(RF MEMS)器件以其尺寸小、功耗低而受到广泛关注，特别是MEMS开关构建的移相器与天线，是实现上万单元相控阵雷达的关键技术，在军事上有重要意义。在通信领域上亦凭借超低损耗、高隔离度、成本低等优势在手机上得到应用。然而RF MEMS开关普遍存在驱动电压高、开关时间长的问题，劣于FET场效应管开关和PIN二极管开关。相对于国外已取得的成果，国内的研究尚处于起步阶段。下文将针对MEMS开关的缺陷做一些改进。
1 RF MEMS开关的一般考虑
当MEMS开关的梁或膜受静电力吸引向下偏移到一定程度时达到阈值电压，梁或膜迅速偏移至下极板，电压大小取决于材料参数、开关尺
