pHEMT

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pHEMT

: 课件PHEMT简介及应用对phemt的简介。从最基础的异质结开始进行介绍，然后对HEMT结构的介绍，由于HEMT结构所存在的缺陷，在此基础上衍生除了PHEMT结构
评级：0 浏览量：691 收藏量：3 资源大小：2.01MB 上传时间：2018-03-24

: 模拟技术中的PHEMT MMIC功率放大器设计与实现赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)具有增益、噪声、功率方面更加良好的特性，成为微波与毫米波单片集成电路和超高速数字集成电路领域最具竞争力的有源器件之一，当前，PHEMT MMIC研究已经成为MMIC研究的一大热点。...
评级：0 浏览量：120 收藏量：1 资源大小：277KB 上传时间：2020-11-09

: GaAs pHEMT等效电路参数的直接提取在2 x 20微米和2 x 40微米的栅极宽度（栅极指的数量x单位栅极宽度）和0.15微米的pHEMT中，在50 MHz频率范围内（类似于40 GHz），在仿真结果和测量结果之间取得了很好的一致性。偏差点范围广。还通过比较在类似于...
评级：0 浏览量：177 收藏量：0 资源大小：58KB 上传时间：2021-03-17

: 快速设置的GaAs pHEMT微波开关借助已申请专利的pHEMT技术，M/A-COMTechnologySolutions公司(下文简称为M/A-COM)已经找到了一种可缩短其中一个事件——开关的设置时间——的方法，从而给基于分组通信网络和雷达系统等须严格控制时域参数的系统带来...
评级：0 浏览量：71 收藏量：0 资源大小：225KB 上传时间：2020-10-24

: 通信与网络中的基于E-PHEMT的LNA电路的设计基于E-PHEMT的LNA电路的设计上海交通大学吴鹏引言 LNA在今天的通信系统中多用在接收机前端的第一级。它的主要功能是在不添加额外噪声的情况下尽量放大输入小信号，从而在低功率点上保证所需的信噪比。另外，对于...
评级：0 浏览量：174 收藏量：0 资源大小：88KB 上传时间：2020-12-09

: 用于无线应用的基于PHEMT的宽带LNA 用于无线应用的基于PHEMT的宽带LNA
评级：0 浏览量：66 收藏量：0 资源大小：832KB 上传时间：2021-04-16

: 元器件应用中的Hittite低噪中功率GaAs PHEMT MMIC放大器适于微波应用 Hittite Microwave公司推出三款新型 GaAs PHEMT MMIC放大器——HMC342LC4、 HMC441LC3B和HMC442LC3B，适用于6至25.5GHz 频率范围的点对点、点对多点、调试设备、传感器和军事应用。 HMC342LC4是一款GaAs ...
评级：0 浏览量：100 收藏量：1 资源大小：34KB 上传时间：2020-12-01

: RFID技术中的安捷伦为3G基站提供高线性度E-pHEMT MMIC系列混频器安捷伦科技公司(Agilent Technologies)宣布推出一款高线性度、低本地频率振荡器(LO) E-pHEMT微波单片集成电路(MMIC)有源混频器——IAM-93516，满足了基站设备(BTS) 3G基站无线卡和其它点对点和点对多点微波无线链路...
评级：0 浏览量：92 收藏量：0 资源大小：43KB 上传时间：2020-11-26

: 电源技术中的4.9到6.0GHz低噪声放大器E-pHEMT的设计（一）为了满足在4.9-6.0GHz(覆盖了IEEE 802.11a, HiperLAN2和 HiSWANa的无线局域网WLAN(wireless local area network)接收机的使用范围)的范围内使用，一项基于E-pHEMT设备技术的两极设计可以使放大器在5.5GHz时具有22.2...
评级：0 浏览量：137 收藏量：0 资源大小：82KB 上传时间：2020-11-30

: 基于26 GHz宽带和低相位噪声pHEMT的VCO 基于26 GHz宽带和低相位噪声pHEMT的VCO
评级：0 浏览量：69 收藏量：0 资源大小：1009KB 上传时间：2021-02-26

: DC-30 GHz GaAs pHEMT分布式功率放大器设计采用 0.25 μm GaAs pHEMT工艺研制了一款分布式功率放大器，详细介绍了电路设计和优化过程。通过增加低频交流终端,使得该放大器低频段的增益平坦度有明显的改善。仿真结果表明该放大器带宽约为30 GHz，小信号增益约...
评级：0 浏览量：230 收藏量：2 资源大小：469KB 上传时间：2020-10-15

: 一种0.5μm GaAs PHEMT工艺的单刀九掷射频开关芯片.pdf 一种0.5μm GaAs PHEMT工艺的单刀九掷射频开关芯片.pdf
评级：5 浏览量：123 收藏量：0 资源大小：298KB 上传时间：2021-07-26

: 电源技术中的4.9到6.0GHz低噪声放大器E-pHEMT的设计（二）输出高通网络由串连电容C3、并联电感L4组成。该带通网络可提供额外的低频增益抑制实现如下几个目的：首先，增强的低频信号抑制会降低LNA对较强低频信号发射的易感性，且较强的低频发射会使LNA饱和，给带内性能带来...
评级：0 浏览量：88 收藏量：0 资源大小：69KB 上传时间：2020-11-30

: GaAs PHEMT器件电学特性与器件仿真的研究.pdf GaAs PHEMT器件电学特性与器件仿真的研究.pdf
评级：0 浏览量：86 收藏量：0 资源大小：2.89MB 上传时间：2021-06-30

: InP基PHEMT欧姆接触低温合金化工艺的研究 2.中国科学院微电子研究所，北京 100029）摘要：对InP基PHEMT的源漏欧姆接触低温合金化工艺进行了研究，与常规的合金工艺不同，通过在低温下进行合金化，并采用金属面倒置和快速热退火的办法，制成了比接触电阻为...
评级：0 浏览量：175 收藏量：0 资源大小：91KB 上传时间：2020-12-09

: 应用于PHEMT器件的深亚微米T形栅光刻技术谢常青，陈大鹏，李兵，叶甜春(中国科学院微电子中心，北京，100010)摘要：PHEMT器件和基于它的高频单片集成电路广泛应用于现代微波／毫米波系统。当PHEMT器件的栅长缩短到足够短的时候，沿着栅宽方向的寄生电阻会...
评级：0 浏览量：111 收藏量：0 资源大小：106KB 上传时间：2020-12-10

: 利用GaAs PHEMT设计MMIC LNA 在通信接收器中低噪声放大器(LNA)对于从噪声中析出信号十分关键。控制系统内噪声还有...设计比较了在目标是工作于的几毫瓦DC电源的单片微波集成电路(MMIC)中，GaAs PHEMT增强型(E模式)和耗尽型(D模式)晶体管的使用。
评级：0 浏览量：175 收藏量：1 资源大小：404KB 上传时间：2020-10-19

: GaAs pHEMT噪声模型及低噪声放大器设计研究.pdf GaAs pHEMT噪声模型及低噪声放大器设计研究.pdf
评级：0 浏览量：129 收藏量：0 资源大小：3.13MB 上传时间：2021-06-30

: 设置时间不到20ns的GaAs pHEMT微波开关借助已申请专利的pHEMT技术，M/A-COM Technology Solutions公司(下文简称为M/A-COM)已经找到了一种可缩短其中一个事件——开关的设置时间——的方法，从而给基于分组通信网络和雷达系统等须严格控制时域参数的系统...
评级：0 浏览量：93 收藏量：1 资源大小：248KB 上传时间：2020-11-06

: PHEMT MMIC功率放大器设计与实现本文对PHEMT MMIC功率放大器进行了全面的优化设计和实现，并通过功放硬件电路实测，测试结果证明了设计方案的可行性，功放电路的增益与理论基本一致，满足系统的性能要求。
评级：0 浏览量：256 收藏量：1 资源大小：85KB 上传时间：2020-07-29

: 通信与网络中的安捷伦高线性度E-pHEMT FET 安捷伦科技公司 (Agilent Technologies) 日前宣布，在其高线性度E-pHEMT (增强模式伪形态高电子迁移率晶体管) FETs (场效应管) 产品系列中增加两款采用4.5 mm x 4.1 mm x 1.5 mm行业标准表面封装的SOT-89新产品。...
评级：0 浏览量：115 收藏量：0 资源大小：51KB 上传时间：2020-12-10

: JEDEC JEP118A：2018砷化镓MMIC PHEMT-MESFET和HBT可靠性加速寿命测试指南-英文电子版（25页）完整英文电子版 JEDEC JEP118A：2018 Guidelines for GaAs MMIC PHEMT-MESFET and HBT Reliability Accelerated Life Testing （砷化镓MMIC PHEMT-MESFET和HBT可靠性加速寿命测试指南）。寿命测试是出于各种目的而...
评级：5 浏览量：27 收藏量：0 资源大小：392KB 上传时间：2023-11-14

: 安捷伦为3G基站提供高线性度E-pHEMT MMIC系列混频器安捷伦科技公司(Agilent Technologies)宣布推出一款高线性度、低本地频率振荡器(LO) E-pHEMT微波单片集成电路(MMIC)有源混频器——IAM-93516，满足了基站设备(BTS) 3G基站无线卡和其它点对点和点对多点微波无线链路...
评级：0 浏览量：90 收藏量：0 资源大小：42KB 上传时间：2021-01-19

: GaAs基PHEMT加速度传感器的研究* (2010年) PHEMT结构一种高电子迁移率晶体管，以其高频和低噪声等方面的优越性，成为当今微电子领域中最活跃的研究主题之一。将其良好的力敏特性应用在加速度计方面更是成为前沿的研究方向。基于GaAs基PHEMT结构压阻效应，设计...
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: 芯片级PHEMT热特性等效方法芯片级PHEMT热特性等效方法
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: 基于PHEMT工艺的5GHz锁相环芯片 (2004年) 给出了基于02μm砷化镓赝晶高电子迁移率器件工艺设计的高速锁相环芯片的电路结构、性能分析与测试结果。芯片采用吉尔伯特结构的鉴相器和交叉耦合负阻差分环形压控振荡器，总面积为115mm×075mm。...
评级：0 浏览量：55 收藏量：0 资源大小：345KB 上传时间：2021-05-27

: DC-30 GHz GaAs pHEMT分布式功率放大器设计.pdf #资源达人分享计划#
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: 一种具有0．5 dB噪声系数的450～470 MHz单片集成LNA* (2014年) 基于0．5 μm赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺，设计制造了一款工作于450～470 MHZ频段的单片集成低噪声放大器(LNA)，该LNA采用阻容负反馈的方式实现输入阻抗匹配，减小了无源元件占有的芯片面积，达到了单片集成...
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