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用于无线应用的基于PHEMT的宽带LNA
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基于 OFDM 的无线宽带系统模拟器:用于基于 OFDM 的无线宽带系统的链路和系统级模拟器-matlab开发
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通信与网络中的基于无线宽带的应急通信指挥应用设计
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模拟技术中的WJ公司最新宽带放大器可用于多种无线应用
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WJ通讯公司是无线基础架构和射频识别(RFID)读取器市场的射频(RF)产品与解决方案的设计者和供应商。该公司宣布了新的高性能宽带放大器系列,即WJA放大器系列。WJA宽带放大器最高可提供20dB增益,输出IP3最高可达43dBm,而且只需使用+5V电源以60-90mA供电即可。由于采用了InGaP/GaAs HBT工艺技术,WJA放大器超越了下一代通讯系统日益复杂的需求。此外,WJA放大器也是现
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通信与网络中的基于E-PHEMT的LNA电路的设计
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论文研究-基于0.15um InGaAs pHEMT的超宽带MMIC中等功率放大器研究 .pdf
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基于0.15um InGaAs pHEMT的超宽带MMIC中等功率放大器研究,唐松,邵振海,本文介绍了一个工作在17~43GHz频段的四级单片集成中等功率放大器,采用0.15um栅宽pHEMT工艺,在整个频段达到了25±3dB的增益以及22dBm的输�...
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利用GaAs PHEMT设计MMIC LNA
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在通信接收器中低噪声放大器(LNA)对于从噪声中析出信号十分关键。控制系统内噪声还有...设计比较了在目标是工作于的几毫瓦DC电源的单片微波集成电路(MMIC)中,GaAs PHEMT增强型(E模式)和耗尽型(D模式)晶体管的使用。
基于26 GHz宽带和低相位噪声pHEMT的VCO
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RFMD发布用于WiMAX基础设施的RF386X系列LNA
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应用于PHEMT器件的深亚微米T形栅光刻技术
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谢常青,陈大鹏,李兵,叶甜春(中国科学院微电子中心,北京,100010)摘要:PHEMT器件和基于它的高频单片集成电路广泛应用于现代微波/毫米波系统。当PHEMT器件的栅长缩短到足够短的时候,沿着栅宽方向的寄生电阻会...
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给出了基于02μm砷化镓赝晶高电子迁移率器件工艺设计的高速锁相环芯片的电路结构、性能分析与测试结果。芯片采用吉尔伯特结构的鉴相器和交叉耦合负阻差分环形压控振荡器,总面积为115mm×075mm。锁定时中心工作频率...
一种具有0.5 dB噪声系数的450~470 MHz单片集成LNA* (2014年)
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基于0.5 μm赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,设计制造了一款工作于450~470 MHZ频段的单片集成低噪声放大器(LNA),该LNA采用阻容负反馈的方式实现输入阻抗匹配,减小了无源元件占有的芯片面积,达到了单片集成...
Hittite发布高动态范围表面贴装LNA
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Hittite Microwave公司发布了新款用于固定无线、CATV、微波射频和蜂窝/3G基站和频率为0.3到3.0 GHz转发设备的表面贴装pHEMT MMIC低噪声放大器(LNA)——hmc374。 这款HMC374器件是一种高动态范围PHEMT MMIC ...
电源技术中的4.9到6.0GHz低噪声放大器E-pHEMT的设计(一)
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元器件应用中的Hittite低噪中功率GaAs PHEMT MMIC放大器适于微波应用
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JEDEC JEP118A:2018砷化镓MMIC PHEMT-MESFET和HBT可靠性加速寿命测试指南-英文电子版(25页)
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完整英文电子版 JEDEC JEP118A:2018 Guidelines for GaAs MMIC PHEMT-MESFET and HBT Reliability Accelerated Life Testing (砷化镓MMIC PHEMT-MESFET和HBT可靠性加速寿命测试指南 )。寿命测试是出于各种目的而...
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提出了一种新的直接参数提取方法,用于确定伪高电子迁移率晶体管的小信号等效电路模型。 该方法是测试结构方法和分析方法的组合,不涉及数值优化。 在2 x 20微米和2 x 40微米的栅极宽度(栅极指的数量x单位栅极宽度...
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本文重点研究在大型科学设施环境中工作的类似汽车的车辆的可行路径的生成。 考虑曲率连续性和最大曲率约束,一种新颖的路径平滑算法是根据三次贝塞尔曲线提出的。 在算法中,贝塞尔转弯和贝塞尔路径分别为发达。 Bezier 转弯首先设计用于连接两个任意配置。 然后可以通过以下方式获得贝塞尔路径使用贝塞尔曲线来拟合避免碰撞规划器提供的一系列目标点。 在算法的指导下,车辆可以以预定的方向到达目标点。 模拟实验进
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