传感技术中的Au/Zn/Au/p-InP欧姆接触的界面研究

（中国科学院上海技术物理研究所，传感技术国家重点实验室，上海 200083摘 要：研究了离子束溅射制备的Au/Zn/Au/p-InP欧姆接触的界面特性。在480℃退火15s比接触电阻达到最小，为1.4×10-5Ω·cm2。利用俄歇电子能谱（AES）和X射线光电子能谱（XPS）研究了接触界面的冶金性质。实验结果表明,在室温下InP中的In就可以扩散到接触的表面，退火后可与Au形成合金。退火后，Zn的扩散可以在p-InP表面形成重掺杂层，从而降低接触势垒高度，减小势垒宽度，有助于欧姆接触的形成；在接触与p-InP的界面产生一个P聚集区，同时Au与InP反应生成Au2P3，其P的2p3/2电子的结合