dsp2812外部 RAM 读写实验

**DSP2812外部RAM读写实验** 在嵌入式系统设计中，有时需要扩展处理器的内存资源，以满足大型程序或数据存储的需求。TI公司的TMS320F2812是一款高性能的数字信号处理器（DSP），它具有丰富的片上功能和灵活的扩展接口。本实验主要探讨如何在TMS320F2812上进行外部RAM的读写操作，这对于理解和应用这类处理器具有重要的实践意义。 **一、DSP2812简介** TMS320F2812是一款16位浮点型DSP，内置了CPU、数据和程序存储器、定时器、串行通信接口等多种模块。它的外部总线接口（EBI）可以连接各种外部存储器，包括SRAM、DRAM和Flash，从而扩展其存储容量。 **二、外部RAM的连接** 要连接外部RAM，首先需要根据RAM的规格选择合适的接口。常见的外部RAM如HY57V561620E，是16位同步动态RAM，需要通过地址线（A0-A19）、数据线（D0-D15）和控制线（CS、RAS、CAS、WE）与DSP连接。确保这些线路连接正确，并根据RAM的时序参数配置相应的寄存器。 **三、编程实现** 1. **初始化设置**：在程序开始时，需要对EBI控制器进行配置，设定地址映射、时序参数等。这通常通过修改C28x EBI控制寄存器（EBICFGx，EBICTLx）来完成。 2. **读写操作**：在初始化后，可以通过读写指令访问外部RAM。例如，使用`__asm`关键字编写汇编指令进行直接访问，或者在C语言中定义指针，通过指针操作进行读写。例如，将数据写入外部RAM的地址0x10000000，可以使用以下代码： ```c volatile unsigned short *ext_ram = (unsigned short *)0x10000000; *ext_ram = 0x1234; ``` 读取该地址的数据则使用类似的方式： ```c unsigned short data; data = *ext_ram; ``` **四、调试验证** 实验完成后，应进行充分的测试以验证外部RAM的读写功能是否正常。可以设置一段循环，不断向RAM写入不同的数据，然后读回并比较，以确保数据的一致性。此外，使用示波器检查控制信号的时序也是验证的关键步骤。 **五、注意事项** 1. 确保所有电源和地线连接良好，避免噪声干扰。 2. 遵循RAM的数据手册进行时序配置，防止损坏RAM或处理器。 3. 在编程过程中，注意地址空间的分配，防止与其他设备冲突。 通过这个实验，开发者不仅可以掌握TMS320F2812的外部总线接口使用，还能了解到嵌入式系统中扩展存储器的基本方法。这对于深入理解嵌入式系统的硬件接口和软件编程具有重要意义。