DSP 28335 外部 SDRAM 读写实验

在本文中，我们将深入探讨如何在Texas Instruments的TMS320F28335数字信号处理器（DSP）上进行外部SDRAM的读写实验。TMS320F28335是一款高性能、浮点运算能力强大的C28x DSP，广泛应用于实时控制和信号处理应用中。它具有丰富的外设接口，其中包括支持外部存储器扩展的能力，如SDRAM（Synchronous Dynamic Random-Access Memory）。 1. **SDRAM基础知识**： SDRAM是一种同步动态随机存取内存，与传统的DRAM相比，它提供了更高的数据传输速率和更低的延迟。同步意味着其操作与系统时钟同步，这使得数据传输更加高效。SDRAM通常用于需要大量连续数据访问的应用，如图形处理和实时处理系统。 2. **DSP28335与SDRAM的接口**： TMS320F28335 DSP内建了EMIF（External Memory Interface）模块，用于连接外部存储器，如SDRAM。EMIF提供地址、数据和控制信号，以控制SDRAM的读写操作。配置EMIF的关键参数包括：数据宽度、行/列地址大小、刷新计数、等待状态等。 3. **实验设置**： 在实验中，首先需要一个兼容的SDRAM模块，如HY57V561620ET，它是一个16Mx16位的SDRAM，总共提供16MB的存储空间。连接SDRAM到DSP的EMIF引脚，包括地址线、数据线、控制线（如CS、RAS、CAS、WE）以及电源和地线。 4. **初始化过程**： 在进行读写操作前，必须正确初始化SDRAM。这涉及设置模式寄存器、预充电所有行、设定自刷新计数等步骤。通常需要编写初始化代码，根据SDRAM的具体规格来配置EMIF的控制寄存器。 5. **读写操作**： 读操作通过向SDRAM发出地址信号和读命令，然后从数据总线上接收数据。写操作则需要发送地址、写命令以及待写入的数据。在TMS320F28335上，这些操作通过编程EMIF接口的控制信号和数据总线实现。 6. **示例代码分析**： "example4_ExRAM_OK"可能是实验中使用的代码示例或成功完成实验的标志。这个文件可能包含初始化SDRAM、执行读写操作的函数，以及验证读写正确性的测试代码。通过阅读和理解这段代码，可以更好地了解实际操作的细节。 7. **性能优化**： 实验中可能需要考虑提高SDRAM的性能，如减少等待状态、利用突发传输、优化内存访问模式等。此外，还需要注意SDRAM的电源管理和热稳定性，以确保系统长期稳定运行。 8. **故障排查**： 如果遇到读写错误，可能的原因包括EMIF配置不正确、SDRAM连接问题、时序不匹配等。通过使用示波器检查信号波形、使用内存测试工具进行故障定位，可以帮助解决问题。 通过上述步骤，我们可以成功地在TMS320F28335 DSP上进行外部SDRAM的读写实验，从而利用其大容量存储优势，满足复杂的计算和数据存储需求。这不仅有助于提升系统的整体性能，也为实时应用的开发提供了更多可能性。